搜索结果: 1-6 共查到“薄膜光学及技术 元件”相关记录6条 . 查询时间(0.048 秒)
近日,安徽省光电子科学与技术重点实验室张斗国教授研究组提出并实现了一种基于光学薄膜的平面型显微成像元件,用作被测样本的载波片,可在常规的明场光学显微镜上实现暗场显微成像和全内反射成像,而获取高对比度的光学显微图像。研究成果以“Planar photonic chips with tailored angular transmission for high-contrast-imaging devi...
为了满足空间衍射成像系统对大口径、轻量化衍射元件的需求,设计制作了直径为400 mm 的聚酰亚胺(PI)薄膜菲涅尔衍射元件。通过紫外光刻、离子束刻蚀等微细加工方法在石英基底上制作衍射图形,然后将衍射图形复制到 PI 薄膜上得到菲涅尔衍射型薄膜元件。结合有限元法探究了薄膜复制过程中热应力的变化规律及降低热应力的方法,分析了影响薄膜衍射效率的因素及薄膜制作误差、温度变化对薄膜成像的影响, 最终实现了大...
高重复频率DPL激光对光学薄膜元件损伤实验研究
光学薄膜 重频DPL 激光 驻波场修正 损伤机理
2013/11/4
光学薄膜的高重频激光损伤特性一直是激光薄膜研究者的重点。为了分析光学薄膜在高重频激光辐照下的损伤特性,探究其损伤机理,文中从实验出发,研究了重复频率10 kHz DPL 激光对光学薄膜元件的损伤特性。结果表明,修正膜层内的驻波场分布,降低膜层内高折射材料中的驻波场峰值可以提高高重频激光损伤阈值;从激光损伤形貌与辐照激光功率的关系上看,在高重频激光辐照下光学薄膜元件的损伤实质上是热效应和场效应共同作...
微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程
磁性薄膜元件 反磁化
2008/11/6
观察和分析了300μm×40μm×40nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程. 磁畴结构的转变包含畴壁合并,封闭畴转变,钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等变的可逆因素,对畴壁极性转变的身份种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Net)r N+-→N-间接转变)进行了分析讨论.