搜索结果: 106-120 共查到“材料科学 性能”相关记录3480条 . 查询时间(0.211 秒)
中国科学院新疆理化所在高性能吸油材料领域取得进展(图)
新疆理化所 高性能吸油材料
2022/12/30
含油污水的高效分离和处理不仅可解决环境污染问题,还能将回收的油进行循环使用、提高资源利用率,因此引起了世界各国的高度关注。多孔海绵具有吸油迅速、吸油量大等优势,在含油污水处理领域得到广泛应用。目前常用高温热处理、表面氟化等方法制备吸油材料,但上述方法存在处理成本高、制备工艺复杂等不足。
中国科学院大连化物所开发出高性能多电子反应储锂材料(图)
大连化物所 高性能 电子反应 储锂材料
2022/12/28
2022年12月28日,中国科学院大连化学物理研究所研究员吴忠帅团队在多电子反应电极材料研究方面取得进展,通过构建二维异质结构,克服了多电子反应存在的可逆性和动力学限制,实现了高倍率、高容量的赝电容多电子反应。
碳纳米管宏观体纤维的力、热性能强化研究取得进展(图)
碳纳米管 宏观体纤维 热性能强化
2022/12/22
中国科学院大连化学物理研究所研制出用于制毒窝点稽查的高性能微型质谱(图)
制毒窝点稽查 高性能 微型质谱
2022/12/9
2022年12月9日,中国科学院大连化学物理研究所质谱与快速检测研究中心(102组)李海洋研究员团队在现场检测微型质谱研究方面取得新进展,自主研发了具有高灵敏度和高稳定性的连续进样微型质谱,在制毒窝点查缉方面展示了良好的应用前景。
2022年11月19日,中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室以线上线下结合方式召开第七届学术委员会第五次会议。会议由实验室学术委员会主任、中国工程院院士、哈尔滨工业大学教授周玉主持。中国科学院院士、中国科学院宁波材料科学与工程研究所研究员薛群基,中国工程院院士、华东理工大学教授袁渭康,中国科学院院士、西北工业大学教授魏炳波,中国科学院院士、清华大学教授南策文,中国科学院院士...
清华大学材料学院研究团队在陶瓷位错理论以及力学性能领域取得进展(图)
陶瓷 位错理论 力学性能 高熵氧化物
2022/11/22
位错作为一种常见的一维缺陷在金属材料中广泛存在,并对金属材料的力学性能以及功能特性产生重要影响。然而在陶瓷材料中,位错密度低且位错起动力较大,对于陶瓷材料的性能影响尚未得到充分认识。近年来清华大学材料学院研究团队对于陶瓷材料中的位错理论以及对力学性能的影响开展了深入研究,并取得了连续进展。
中国科大实现“云端+高性能计算”服务国家油气战略
云端 高性能计算 国家油气战略
2022/11/18
2022年来,人工智能快速发展,人工智能的应用也受到各行各业的广泛关注,但人工智能技术“落地难”的问题也随之而来。工业中众多工程问题需要实时分析和及时决策,人工智能大有可为。例如,页岩油气大规模体积压裂,不仅产生大量的实时数据,还需结合大量历史数据及材料性质数据等才能正确分析做出决策。由于涉及到大规模科学计算,以往都需要很长时间(如国内油气分布式光纤数据发往国外分析合同日期2个月)才能给出分析结果...
中国科学院高性能有机光伏器件的三线态复合抑制研究获进展(图)
高性能有机 光伏器件 三线态复合
2022/11/17
2022年11月14日,中国科学院深圳先进技术研究院先进材料科学与工程研究所光子信息与能源材料研究中心副研究员张杰课题组,联合香港城市大学教授任广禹团队、南京大学教授张春峰团队,在Nature Energy上,发表了题为Suppressed recombination loss in organic photovoltaics adopting a planar–mixed heterojunct...
中国科学院深圳先进技术研究院高性能有机光伏器件中的三线态复合抑制研究(图)
高性能 有机光伏器件 三线态复合
2022/11/16
2022年11月14日,中国科学院深圳先进技术研究院先进材料科学与工程研究所光子信息与能源材料研究中心的张杰副研究员课题组联合香港城市大学任广禹教授团队与南京大学张春峰教授团队合作在Nature Energy上发表题为“Suppressed recombination loss in organic photovoltaics adopting a planar–mixed heterojunct...
中国科学院微电子所研发出高性能单晶硅沟道3D NOR储存器(图)
微电子 高性能单晶硅沟道 3D NOR储存器
2022/11/15
NOR闪存以速度快、可靠性高和使用寿命长等优势,在人工智能、汽车电子和工业领域中发挥着重要作用。目前,普遍使用的平面NOR闪存在50纳米以下技术代的尺寸微缩遇到瓶颈,难以进一步提升集成密度、优化器件性能以及降低制造成本。为突破上述瓶颈,科研人员提出多种基于多晶硅沟道的三维NOR(3D NOR)器件,但多晶硅沟道迁移率低、读取速度慢,影响NOR器件整体性能。
中国科学技术大学王亮教授和韩正甫教授课题组研发的InGaAs单行载流子探测器芯片取得重大进展。该研究团队通过设计优化表面等离激元结构,开发成功低暗计数、高响应度、高带宽的单行载流子探测器芯片,为近红外探测器性能提升提供了开创性的方法,相关研究成果以“Plasmonic Resonance Enhanced Low Dark Current and High-Speed InP/InGaAs Uni...