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2024年5月8日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》(Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufacturing)为题,发表在《自然》(Nature)上。
阿秒脉冲技术是本世纪激光技术及超快科学的一个重大突破,由于具有阿秒(1阿秒=10-18秒)和皮米(1 皮米 =10-12 米)量级的超高时空分辨率,阿秒脉冲2023年来已经成为在凝聚态物理、材料科学、化学生物、信息成像等领域开拓新应用、发现新现象的重要手段。2023年诺贝尔物理学奖被授予Pierre Agostini、Ferenc Krausz和Anne L’Huillier三位物理学家,以表彰他...
有机发光晶体管(OLETs)是兼具有机场效应晶体管(OFETs)和有机发光二极管(OLEDs)功能的小型化光电集成器件,具有制备工艺简单、集成更容易等优势,被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要器件基元。同时,OLETs独特的横向器件结构为有机半导体材料中电荷注入、传输和复合过程的原位研究提供了良好的研究平台。此外,OLETs作为一种可发光的晶体管器件,克服了传统晶体管存在可输入信号类型多,但...
近年来,大数据、互联网和人工智能的快速发展,对数据处理的速度和效率提出了更高的要求。人类大脑是最复杂的计算系统之一,可以通过密集协调的突触和神经元网络同时存储、整合和处理大量的数据信息,兼具高速和低功耗的优势。受人脑的启发,人工突触器件应运而生。人工突触器件因具有同时处理和记忆数据的能力而备受关注,有望成为下一代神经形态计算系统中的核心元器件。
随着集成电路制造技术持续演进,堆叠纳米片环栅场效应晶体管(Stacked Nanosheets GAA FET)在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管(FinFET),从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求,GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流(Ion)严重失配和阈值电压(Vth)调控困难等关键挑战,对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此,针对GAA晶...
现代信息技术的快速发展,离不开新材料和新器件的发现。超导电子器件利用极端的手段获得极端的性能,极大地推动了天文观测、量子信息、生物检测和军事国防等应用领域的发展。近日,吴培亨院士团队张蜡宝教授课题组提出了一种制备过渡金属硫属族化合物(TMDs)纳米线的普适策略,通过拓扑化学转化原理成功制备出高质量超导纳米线,其超导电流和回滞电流的比值超过20。这项工作为研制新型超导纳米线单光子探测器和相关超导器件...
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成,合成新的人工体系(“人工光细胞”),利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能,可潜在提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力,为光驱生物制造技术提供新路径。然而,半导体材料吸收光能产生的是电子,细胞利用的能量为生物能(ATP和(NADP)H),因而必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分子层绝缘性...
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成,合成一种新的人工体系(“人工光细胞”),利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能,可潜在大幅提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力,为光驱生物制造技术提供新的路径。然而,半导体材料吸收光能产生的是电子,细胞利用的能量为生物能(ATP和(NADP)H),因此必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分...
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成,合成一种新的人工体系(“人工光细胞”),利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能,可潜在大幅提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力,为光驱生物制造技术提供新的路径。然而,半导体材料吸收光能产生的是电子,细胞利用的能量为生物能(ATP和(NADP)H),因此必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分...
近期,中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室与上海理工大学合作在新型介质膜配向液晶相位延迟器件的研究取得进展。采用倾斜沉积介质膜对液晶进行配向,与基于传统聚酰亚胺薄膜配向的可调相位延迟器件进行了抗激光损伤等性能的比较研究,为介质膜配向的液晶器件在高功率激光系统中的实际应用提供了指导,相关研究成果以“Comparative study of liquid crystal variable r...
在计算机视觉领域,神经网络在图像识别、图像分割和目标检测方面具有先进性能。然而,基于传统冯诺依曼架构的神经网络的分类和检测方法面临存算分离的计算难题。而忆阻器作为一种新型存算一体器件,由于非易失性和纳米尺寸等特性,非常适合实现神经突触。因此基于忆阻器的神经网络引起了广泛关注。目前基于忆阻器的神经网络研究面临多态模型设计、循环神经网络(RNNs)中的核心模块门控循环单元(GRU)计算复杂等难题,合肥...
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度,受到静电场屏蔽效应减弱,利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管(Memtransistor)可以模拟人脑中复杂的突触活动,有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外,相比于平面构型,二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面,使其能够进行任意垂直组装,可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式,从而在单位面积内...
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度,其受到静电场屏蔽效应大大减弱,利用门电压可以对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管(Memtransistor)可以模拟人脑中复杂的突触活动,有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外,相比于平面构型,二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面,这使其能够进行任意垂直组装,可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式,从而在...
山东大学“稷下风”学术论坛-马俊:新型多沟道氮化镓电力电子器件技术。
中国科学院半导体研究所照明研发中心刘志强研究员与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作,在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展,验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性,提出了氮化物位错控制新思路,拓展了氮化物在高温热电领域的应用。相关工作分别以“二硫化钨-玻璃晶圆上生长的连续单晶氮化镓薄膜”(Continuous Single-Crystall...

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