搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 新型的”相关记录296条 . 查询时间(1.017 秒)
中国科学院上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术(图)
光子芯片 集成电路 薄膜
2024/5/9
2024年5月8日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》(Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufacturing)为题,发表在《自然》(Nature)上。
中国科学院物理研究所阿秒凝聚态物理——见证一门新型交叉学科的兴起(图)
凝聚态物理 光电子 半导体器件
2023/11/6
阿秒脉冲技术是本世纪激光技术及超快科学的一个重大突破,由于具有阿秒(1阿秒=10-18秒)和皮米(1 皮米 =10-12 米)量级的超高时空分辨率,阿秒脉冲2023年来已经成为在凝聚态物理、材料科学、化学生物、信息成像等领域开拓新应用、发现新现象的重要手段。2023年诺贝尔物理学奖被授予Pierre Agostini、Ferenc Krausz和Anne L’Huillier三位物理学家,以表彰他...
中国科学院化学所在新型有机偏振发光晶体管研究中取得进展(图)
半导体材料 晶体管器件 光电集成
2023/11/3
有机发光晶体管(OLETs)是兼具有机场效应晶体管(OFETs)和有机发光二极管(OLEDs)功能的小型化光电集成器件,具有制备工艺简单、集成更容易等优势,被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要器件基元。同时,OLETs独特的横向器件结构为有机半导体材料中电荷注入、传输和复合过程的原位研究提供了良好的研究平台。此外,OLETs作为一种可发光的晶体管器件,克服了传统晶体管存在可输入信号类型多,但...
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展(图)
氮化镓基 光电器件 数据处理
2023/10/17
微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展(图)
纳米 器件 集成电路
2023/10/16
随着集成电路制造技术持续演进,堆叠纳米片环栅场效应晶体管(Stacked Nanosheets GAA FET)在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管(FinFET),从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求,GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流(Ion)严重失配和阈值电压(Vth)调控困难等关键挑战,对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此,针对GAA晶...
南京大学吴培亨院士团队研制新型超导纳米线取得重要进展(图)
超导 纳米线 超导电子器件
2023/8/1
中国科学院深圳先进院等设计新型“人工光细胞”构建方法(图)
人工光细胞 催化 半导体材料
2023/7/31
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成,合成新的人工体系(“人工光细胞”),利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能,可潜在提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力,为光驱生物制造技术提供新路径。然而,半导体材料吸收光能产生的是电子,细胞利用的能量为生物能(ATP和(NADP)H),因而必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分子层绝缘性...
深圳先进院等设计新型“人工光细胞”构建方法(图)
人工光细胞 催化 半导体材料
2023/7/26
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成,合成一种新的人工体系(“人工光细胞”),利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能,可潜在大幅提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力,为光驱生物制造技术提供新的路径。然而,半导体材料吸收光能产生的是电子,细胞利用的能量为生物能(ATP和(NADP)H),因此必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分...
深圳先进院等设计了一种新型“人工光细胞”构建方法(图)
人工光细胞 半导体材料 细胞集成
2023/7/26
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成,合成一种新的人工体系(“人工光细胞”),利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能,可潜在大幅提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力,为光驱生物制造技术提供新的路径。然而,半导体材料吸收光能产生的是电子,细胞利用的能量为生物能(ATP和(NADP)H),因此必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分...
中国科学院基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器研究获进展(图)
垂直架构 二维半导体 铁电多值存储器
2022/11/28
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度,受到静电场屏蔽效应减弱,利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管(Memtransistor)可以模拟人脑中复杂的突触活动,有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外,相比于平面构型,二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面,使其能够进行任意垂直组装,可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式,从而在单位面积内...