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焙烧过程晶粒生长的Monte Carlo模拟
晶粒生长 焙烧 Monte Carlo模拟
2007/4/9
基于Monte Carlo(MC)方法，根据晶粒生长机理建立改进的转换概率模型，在不同焙烧温度、焙烧时间和激活能条件下可实现晶粒生长过程结构演化的计算机模拟，对模拟和实验数据进行分析，结果表明：当晶粒生长指数为2.17时，模拟与实验具有较好的一致性，从而得出焙烧过程晶粒的生长动力学模型；该模型能够较好地解释焙烧过程晶粒的生长过程，对晶粒生长动力学研究等具有一定的指导意义。