搜索结果: 76-90 共查到“光学工程 探测器”相关记录572条 . 查询时间(0.181 秒)
上海技物所在平面型延伸波长InGaAs探测器方面取得进展（图）
长InGaAs探测器 高光谱成像
2022/10/13
2022年10月13日，中国科学院上海技术物理研究所李雪和龚海梅研究员采用闭管扩散的方法成功研制了截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器芯片，并对其相关性能进行了研究。该研究成果对后续进一步优化平面型延伸波长InGaAs焦平面探测器有重要的指导意义，以“截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器”为题发表于《红外与毫米波学报》。
地球观测、多光谱和高光谱成像等应用领域，...
芬兰光电探测器初创公司Elfys迄今已完成600万欧元融资，以扩大光电探测器产品量产规模，把握可穿戴设备对个人健康监测日益增长的市场需求。Elfys近日宣布完成新一轮300万欧元融资，这是对去年夏天完成同等规模融资的新一轮补充，融资资金将用于提升产量，以满足业界不断增长的市场需求。此轮融资的主要投资方为三星风险投资（SVIC），前一轮融资的领投方Voima Ventures继续跟投了此轮融资。其他...
新型光电探测器能模仿光合作用
光电探测器 模仿 光合作用
2022/9/14
美国密歇根大学研究人员在《光学》期刊发表论文称，他们使用被称为极化子的独特准粒子开发了一种新型高效光电探测器，其灵感来自植物用来将阳光转化为能量的光合复合物。该设备将光能的远程传输与电流的远程转换相结合，有可能大大提高太阳能电池的发电效率。
2022年8月31日，中国科学院大连化学物理研究所二维热电材料研究组（DNL2104组）陆晓伟副研究员、姜鹏研究员、包信和院士团队在高灵敏、低功耗人体红外热辐射探测器研制及其在非接触人机交互系统中的应用方面取得新进展。人体自发热辐射主要位于长波红外（8至14μm）波段，呈现出光子能量低（~0.1 eV）、光强弱（~5 mw/cm2）等特点。实现人体红外热辐射的高灵敏探测，对构建低功耗、非接触人机交...
近日，中国科学院上海技术物理研究所胡伟达、苗金水团队与北京大学彭海琳团队合作，提出将动量匹配和能带匹配（能动量匹配）的范德华异质结应用于红外探测，结果表明该器件设计可显著提高二维材料红外探测器量子效率，为研制高量子效率红外探测器提供了新方法。相关研究成果以Momentum-matching and band-alignment van der Waals heterostructures for ...
2022年8月11日，中国科学院上海技术物理研究所胡伟达、苗金水团队与北京大学彭海琳团队合作，提出将动量匹配和能带匹配（能动量匹配）的范德华异质结应用于红外探测，研究结果表明该器件设计可显著提高二维材料红外探测器量子效率，为研制高量子效率红外探测器提供了新方法。相关成果以“Momentum-matching and band-alignment van der Waals heterostruct...
近日，浙江大学光电科学与工程学院/现代光学仪器国家重点实验室戴道锌教授团队设计了一种可采用标准流片工艺制备的锗硅雪崩光电探测器，所研制APD性能优越，实现了高达615GHz的创纪录增益带宽积GBP，并成功演示了其100 Gbps NRZ和PAM-4高速信号接收，为下一代高速硅光集成的光接收奠定了核心光器件基础，具有重要应用前景。
中国科学院半导体研究所在硅基锗锡中红外探测器方面获进展（图）
硅基锗锡 红外探测器 中红外光子学
2022/7/6
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是该团队在锗锡材料外延生长取得进展后，在锗锡光电器件方面取得的又一重要成果。
中国科学院半导体所在硅基锗锡中红外探测器方面取得进展（图）
硅基锗锡 中红外探测器 集成光电子学
2022/7/5
半导体所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是研究团队在锗锡材料外延生长取得突破之后，在锗锡光电器件方面取得的又一重要进展。
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是研究团队在锗锡材料外延生长取得突破之后，在锗锡光电器件方面取得的又一重要进展。
氮化镓（Gallium nitride，GaN）作为宽禁带半导体，是第三代半导体的代表性材料，其为直接带隙材料，具有发光效率高、热导率大、物理化学性质稳定等优点，在照明、显示、探测等多个领域有较高应用价值。低维（如纳米柱、量子点）GaN基材料因其独特的物理特性，受到广泛关注。中科院苏州纳米所陆书龙团队利用分子束外延（Molecular-beam epitaxy，MBE）技术开展了GaN基纳米柱材料...
β-Ga2O3材料因具有超宽禁带宽度(~4.9eV)、高击穿电场(~9 MV/cm)、优异的热稳定性以及对紫外光的高吸收系数等特点，被认为是深紫外光电探测器应用的最佳候选材料之一。然而受到β-Ga2O3基器件工艺的限制，目前已报道的β-Ga2O3基紫外光电探测器通常都制备在硬性衬底上，不具有机械柔韧性，这极大地限制了β-Ga2O3紫外探测器在透明、可穿戴和可折叠等新兴电子领域中的应用。
苏州纳米所陆书龙团队在氮化镓基纳米柱材料和探测器领域取得新进展（图）
陆书龙 氮化镓基 纳米柱材料 探测器
2022/6/15
氮化镓（Gallium nitride，GaN）作为宽禁带半导体，是第三代半导体的代表性材料，其为直接带隙材料，具有发光效率高、热导率大、物理化学性质稳定等优点，在照明、显示、探测等多个领域有着很高的应用价值。低维（如纳米柱、量子点）GaN基材料因其独特的物理特性，受到了学术界的广泛关注。
近日，广西大学物理科学与工程技术学院光电材料与器件团队在钙钛矿探测器的研究方面获得进展，该研究成果以“Rubidium Iodide-Doped Spiro-OMeTAD as Hole-Transporting Material for Efficient Perovskite Photodetectors”为题被《The Journal of Physical Chemistry C》杂志接收...
