搜索结果: 46-60 共查到“材料科学基础学科 缺陷”相关记录70条 . 查询时间(0.154 秒)
利用显式动力有限元ANSYS/LS-DYNA数值研究了三角形和四边形蜂窝材料中集中缺陷对其面内冲击性能的影响。研究结果表明，对于集中缺陷，除了缺陷率，缺陷集中区域的位置也是材料设计中需要考虑的重要指标。随着缺陷率的增加，蜂窝材料的平台应力和能量吸收能力迅速降低，但随着冲击速度的增加，缺陷的影响逐渐减弱。缺陷集中区域的位置对材料的动力学响应有较大影响，而三角形蜂窝表现出更强的敏感性。此结论将为多孔材...
含负折射率光子晶体缺陷模的吸收特性
光子晶体 特征矩阵 消光系数 缺陷模
2010/5/6
为了研究含负折射率光子晶体缺陷模的吸收特性,引入复折射率的概念,并采用光学特征矩阵方法,分析了各缺陷模的峰值和带宽随消光系数以及杂质厚度的变化.分析结果表明:杂质的消光系数对各缺陷模的中心波长没有影响,随着消光系数的增加,各缺陷模峰值逐渐减小,而带宽逐渐增加,且各缺陷模峰值和带宽的增减速度不同;当消光系数不变,随着杂质层光学厚度的增加,缺陷模的峰值和带宽都随之减小.因此在设计相关光学器件时,应充分...
北京工业大学材料科学基础课件第一部分第三章 晶体结构缺陷第六节位错的增值，赛积与交割
北京工业大学 材料科学基础 课件 第一部分 第三章 晶体结构缺陷 第六节 位错 增值 赛积 交割
2009/10/28
北京工业大学材料科学基础课件第一部分第三章 晶体结构缺陷第六节位错的增值，赛积与交割。
北京工业大学材料科学基础课件第一部分第三章 晶体结构缺陷第四节位错的应力场。
北京工业大学材料科学基础课件第一部分第三章 晶体结构缺陷第一节点缺陷第二节位错的结构第三节位错的运动
北京工业大学 材料科学基础 课件 第一部分 第三章 晶体结构缺陷 第一节 点缺陷 第二节 位错 结构 第三节 运动
2009/10/28
北京工业大学材料科学基础课件第一部分第三章 晶体结构缺陷第一节点缺陷第二节位错的结构第三节位错的运动。
碳纳米管的生长机理、缺陷控制及缺陷效应（图）
碳纳米管 生长机理 缺陷控制 缺陷效应
2009/2/2
用分子动力学模拟方法研究碳纳米管微观生长机理、缺陷形成和组装规律，分析各种缺陷对碳纳米管的电子结构、机械性能和贮氢能力的影响，能为生长高质量的单壁碳纳米管提供理论上的指导和参考。并能为碳纳米管在纳米电子器件、高强度复合材料、平面显示、高效无公害能源等高科技领域的应用提供理论基础。
基于灰色关联分析和区域生长的微小缺陷提取
缺陷提取 机器视觉 图像分割
2009/1/16
提出了一种基于灰色关联分析的区域生长算法。首先通过计算二维灰色绝对关联度，将原始图像转换为仅包含高频信息的灰色关联图像，并在此基础上进行阈值处理和区域标记，获得缺陷区域的形心。然后将该形心作为种子像素在灰色关联图像内进行区域生长，实现微小缺陷的在线提取。实验结果表明，新的区域生长算法能够有效地抑制背景噪声、简化计算过程，满足在线提取和实时性要求。
有序合金中FCC→HCP相变温度内出现的缺陷
Fe3Ge FCC HCP 外禀层错
2007/12/28
利用ＴＥＭ的高温台原位观察了Ｆｅ３Ｇｅ的相在７８０℃（在７００℃以上Ｌ１２转变为ＤＯ１９）出现缺陷的过程. 实验发现首先形核的是外禀层错, 外禀层错比孤立的内禀层比孤立的内禀层错扩展得快, 并且扩展得较宽, 它们有可能长大成为ＤＯ１９相的核胚.
锂离子电池正极材料非计量氧化锂锰的缺陷模型
氧化锂锰 锂离子电池 缺陷模型 正极材料
2007/12/28
采用Ｐｅｃｈｉｎｉ法制成作为锂离子正极材料的氧化锂锰, 通过对不同温度下制得样品的Ｍｎ和Ｌｉ的含量及价态分析, 综合ＸＲＤ数据, 提出了非计量氧化锂锰的缺陷模型, 即缺金属模型（Ｌｉ１－ｘ□ｘ）＾８ａ（Ｍｎ（ＩＩＩ）ｐＭｎ（ＩＶ）ｑ□ｖ）＾１６ｄＯ４并探讨了该结构与其电化学性能的关系, 当Ｌｉ的空位缺陷量ｘ≈０．３且Ｍｎ的空位缺陷量ｙ≈０．１时, 制得材料的比容量达１２７．８ｍＡ．ｈ．ｇ＾－１.
对Ｆｅ－３０％Ｎｉ合金和超低碳贝氏体钢在高温进行不同方式变形和保温, 通过变形、回复、与再结晶, 获得秒同的晶体缺陷数量与构型（主要是位错分布形态）. 用硼径迹显微照相技术研究了 空冷过程中硼向晶界的非平衡偏聚及与不同形态晶体缺陷的关系. 结果表明, 在再结晶新晶粒冷却时晶界偏聚明显.
He对低活性Fe-Cr-Mn(W, V)合金辐照产生点缺陷行为的影响
Fe-Cr-Mn合金 辐照损伤 He
2007/12/21
采用超高压电镜与离子加速器相连结的复合辐照装置, 研究了注He对
低活性Fe-Cr-Mn (W, V)合金辐照产生的点缺陷及二次缺陷行为的影响. 实验结果
表明: 辐照初期形成的点缺陷与He相互作用, 进而影响二次缺陷(位错、位错
环和空洞)的形成；He明显促进位错密度增大和空洞核心形成, 并导致空洞肿胀
增加. 对辐照产生的点缺陷与He相互作用的机理进行了理论分析.
GaN场发射高分辨电子显微像的图像处理-显示GaN中原子分辨率晶体缺陷的可能性
GaN 晶体缺陷 高分辨电子显微学
2007/12/21
本文介绍了场发射高分辨电子显微像的图像处理原理,用300 kV场发射电子显微镜的参数模拟了GaN完整晶体和缺陷晶体结构模型的显微像.经过处理的显微像上能够分辨间距为0.112nm的Ga和N原子,并能显示N原子空位.