搜索结果: 1-15 共查到“集成电路技术 纳米”相关记录30条 . 查询时间(0.754 秒)
微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展（图）
纳米 器件 集成电路
2023/10/16
随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（Stacked Nanosheets GAA FET）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（FinFET），从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求，GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等关键挑战，对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此，针对GAA晶...
“一滴水里观沧海，一粒沙中看世界”已然成为集成电路的真实写照，厘米见方的二维平面上集成数以亿万计的晶体管，堪称人类科技史上的奇迹。
国内首款660纳米VCSEL激光芯片研发成功！（图）
VCSEL 激光芯片
2023/2/20
日前，国内首款波长660纳米垂直腔面发射激光器芯片(660VCSEL芯片）在万州研发成功并投入批量化生产，这款芯片广泛应用于激光指示、激光扫描、血氧传感、烟雾探测等领域。
纳米环栅器件（GAA）是继3纳米以下及FinFET技术后，英特尔、三星和台积电等境外半导体巨头正投入巨资研发的最先进集成电路制造技术。长期以来，CMOS器件的多阈值（Multi-VT）调控是实现高性能、低功耗电路最优应用的关键技术之一。但堆叠纳米片GAA器件由于纳米片间空间（Tsus）严重受限，采用传统的栅金属功函数层膜厚调控以实现多阈值极具挑战。因此，新型多阈值调控技术及工艺集成是目前先进GAA...
中国科学院国家空间中心等科研人员合作首次揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路单粒子 集成电路
2022/11/17
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
近日，合肥工业大学微电子学院集成电路设计研究中心解光军教授团队在Spars软件的基础上，提出了基于“组合优化+智能搜索”的两级优化布局布线框架，利用遗传算法和A*搜索算法完成了对任意时钟方案下FCN器件的门级布局布线工作（图1）。此外，还首次提出了基于FCN电路的设计规则检查（DRC）的概念，成功解决了从“门级”到“器件级”的映射难题（图2-3），并消除了布线过程中产生的交叉线。实验对比显示，该组...
中国科学院微电子研究所在垂直沟道纳米晶体管研发方面获进展（图）
垂直沟道 纳米晶体管 集成电路
2022/8/18
垂直沟道纳米器件因其对栅长限制小、布线灵活及便于3D一体集成等优势，在1纳米逻辑器件/10纳米 DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。
中国科学院微电子研究所垂直纳米环栅器件研究获进展（图）
中国科学院微电子研究所 纳米环栅器件 集成电路
2021/5/27
与目前主流的FinFET器件相比，纳米环栅器件（GAA）在可微缩性、高性能和低功耗方面更具优势，被认为是下一代集成电路关键核心技术。其中，垂直纳米环栅器件（VGAA）由于在垂直方向上具有更多的集成自由度，可增加栅极和源漏的设计空间，减少器件所占面积，更易实现多层器件间的垂直堆叠并通过全新的布线方式进一步增加集成密度，因此，成为2纳米及以下CMOS和高密度DRAM等逻辑及存储芯片制造技术方面具有潜力...
利用标准硅基半导体集成电路工艺制备的电子器件，如硅基的晶体管和纳米机电谐振器，是现代电子产业的基石。随着超大规模集成工艺技术的发展，硅基电子器件的尺寸已进入纳米尺度，将会展现出不同于经典器件的量子效应。作为纳米尺度的新型功能电子器件的代表，硅基单电子/空穴晶体管和超高频纳米机电谐振器在量子计算、精密传感等方面有广泛的应用前景。特别值得一提的是，如果硅基单空穴晶体管被悬浮起来，其自身就可以作为超高频...
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所孙钱团队在功率半导体器件和集成电路领域国际顶级学术会议（32nd ISPSD）发表重要研究进展（图）
孙钱 功率半导体器件 集成电路 学术会议
2020/9/29
会议简介：ISPSD（全称为：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs， 功率半导体器件和集成电路国际会议）是功率半导体器件和集成电路领域在国际上最重要、影响力最强的顶级学术会议，它被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，一直以来都是国内外半导体产业界龙头企业（台积电、三星、松下，英飞凌，东芝...
2020年8月15日，2020中国电子学会科学技术奖励大会在北京举行。大会上，中国电子学会副理事长、国家自然科学基金委员会党组成员、副主任、中国科学院院士陆建华发布了“2020电子信息领域优秀科技论文”，由电子学系纳米器件物理与化学教育部重点实验室在读博士研究生谢雨农担任第一作者、彭练矛和张志勇教授担任通讯作者的论文《采用三维架构加速碳纳米管集成电路》（Speeding up carbon nan...