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本发明提供一种以高容量储氢材料作为氢源的可控制氢装置。通过程序化控制原料储罐A和原料储罐B中两种含氢化学原料进入反应罐,并在反应罐中通过机械搅拌混料,通过加热层为储氢材料提供反应所需温度,使储氢体系达到充分反应,释放所含氢气。本装置实现进料、混料、产氢、供氢的持续工作模式,可应用于多数高含氢物质通过气-固、液-固或固-固相互作用制氢,实现了可控化学反应制氢,从而提高系统的安全性和可靠性。
本发明涉及块状非晶合金制备的技术,具体为一种通过控制凝固条件改善块 状非晶合金的塑性的方法。该方法工艺成本低且简便易行,可以明显改善块状非 晶合金的塑性性能,适合大多数非晶体系。本发明采用铜模浇铸的方法,通过调 整浇铸温度,使合金熔体的温度为液相线温度至液相线温度加500K之间进行浇 注,在样品中获得分布均匀的、尺度在1~15nm范围的纳米晶,从而使块状非晶 合金具有高的塑性。本发明开发了一种改善...
本发明涉及一种使用氧化物精确控制氧含量、熔炼法制造合金的方法(以下 简称“氧熔法”),特别提供了一种使用氧熔法低成本制造多功能钛合金的方法, 解决了粉末冶金法制造多功能钛合金时存在的:生产原料金属粉的成本较高,以 及工艺、设备复杂,生产周期长,生产率较低,制造成本较高等问题。该方法具 体步骤如下:(1)使用合金中元素的较低熔点的氧化物控制合金所必须的氧含量; (2)使用熔炼法制造合金。本发明可以精...
本发明涉及可控制备硅化物纳米结构的技术,具体为一种硅化物纳米带或 纳米片的制备方法。本发明通过向反应室内同时引入氯代硅烷与氢气在金属基 体表面于500~1500℃下发生分解反应,从而在金属基体表面原位生长出硅化物 纳米带或纳米片。本发明通过控制氯代硅烷与氢气的流量比就可以容易地实现 纳米带或纳米片的选择制备,所制备硅化物纳米带的典型尺寸如下:长度10~ 50μm,宽度0.5~5μm,厚度100~2...
本发明涉及石墨烯带的制备技术,具体为一种化学裁剪石墨烯宏量可控制备石墨烯带的方法,适用于宏量制备层数、宽度和边界可控的石墨烯带。该方法首先采用Hummers方法得到氧化石墨,利用石墨氧化过程中含氧官能团在其表面的选择性修饰营造线缺陷,结合高温快速膨胀剥离、热还原、溶剂分散和离心分离制备含有表面线缺陷的石墨烯;然后通过超声波剪切以及化学还原,实现石墨烯的裁剪和结构恢复;最后,采用高速离心方法去除尚未...
本发明涉及块体非晶合金的制备技术,具体为一种通过控制凝固条件提高非晶合金形成能力和强度的方法。该方法工艺成本低且简便易行,可以明显增强块体非晶合金的形成能力,提高材料强度,适合大多数非晶体系。本发明采用铜模浇铸的方法,通过调整模具预热温度,在模具的预热温度达到353至393K之间进行浇铸,能增强非晶形成能力,得到更大尺寸的非晶合金,同时非晶合金材料的强度得到提高,提高幅度为4%~18%。本发明开发...
本发明涉及高抗氧化性单/双壁碳纳米管的可控制备领域,具体为一种高抗氧化性、高纯、单/双壁碳纳米管的可控制备方法。利用浮动催化剂化学气相沉积法,以二茂铁为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、在较高温度下通入碳源气体,在高的氢气载气流量下,生长出高抗氧化性碳纳米管,同时通过调控加入硫生长促进剂的量,实现单壁或双壁碳纳米管的控制生长,获得高纯、高抗氧化性单/双壁碳纳米管,单壁或双壁碳纳米管占总碳管含量的90...
辽宁作为国家定位的基础原材料供应基地和老工业基地,存在众多金属材料制造企业,因面临日趋严峻的市场竞争和生存压力。在国家强调的“三去一补”政策中,“补短板”补的是产品质量的短板。因此,进一步提升材料性能,开发新材料,是我国建设材料强国的必由之路,固理论与质量控制团队基于上述历史与现实双重因素成立。
本发明涉及沉淀强化Fe-Ni基奥氏体合金领域,具体地说是一种含硼的高强度、耐氢脆合金及其组织均匀性控制方法。按重量百分计,B:0.001~0.01,Ni:29.5~31.5,Cr:13.5~16.5,Mo:1.1~1.5,钒:0.1~0.5,钛:1.6~2.4,铝:0.1~0.6,铁及不可避免的残余元素:余量。当硼含量在0.001~0.004%范围时,采用970~990℃保温0.5~2h后水淬的固...
本发明涉及型材液压成形领域,具体为一种波动型内压控制加载方式的异型截面管材及板材液压成形方法,解决在液压成形过程中失稳现象的出现,型材壁厚分布不均匀,模具过渡圆角处贴模不完全等缺陷。首先,将初始坯料放入密封的模具型腔中;然后,以波动型液压加载方式将高压液体介质导入密封的模具型腔中,依靠以波动型液压加载方式增长的内压,最终成形出符合要求的零件。本发明控制精度高,型材成形质量优异,可有效避免缺陷发生,...
本发明提供一种镀层控制定向凝固镍基高温合金再结晶的方法,其特征在于,采用电镀镀层方法在已产生变形的定向凝固镍基高温合金器件表面进行镀层处理,镀层为Ni+CeO2,其中CeO2含量为1~10%,镀层厚度10~15μm;将上述镀层处理后的定向凝固镍基高温合金器件进行合金基体的标准固溶处理。本发明具有如下优点:与无镀层直接固溶的已变形合金样品产生的再结晶对比,再结晶深度明显减小,再结晶所占面积也相应地明...
本发明提供一种渗铝法控制定向凝固镍基高温合金再结晶的方法,其特征在于,采用渗铝法在已产生变形的定向凝固镍基高温合金器件表面进行渗铝处理;将上述渗铝处理后的定向凝固镍基高温合金器件进行基体合金的标准固溶处理。本发明具有如下优点:可控制定向凝固镍基高温合金再结晶的深度,对于均匀变形所产生再结晶的控制作用更加显著。与无渗铝直接固溶的合金器件产生的再结晶对比,再结晶离散分布,非常不均匀,但最大再结晶深度明...
本发明涉及沉淀强化奥氏体抗氢脆合金领域,具体地说是一种超超低碳、高强度、耐氢脆Fe-Ni基奥氏体合金及其Ti2CS型非金属夹杂物的控制方法。按重量百分计,Ni:29.0~32.0,Cr:14.0~16.0,Mo:1.30~1.50,钛:1.60~2.30,铝:0.2~0.5,硅:0.1~0.3,硼:0.001~0.006,铁:余量。按重量百分计,控制碳含量≤0.010,硫含量≤0.002,磷含量≤...
本发明公开了一种可控制备单层和少层硫化钼的方法。具体地说,该方法是一种基于溶剂热的方法,利用钼基化合物的水溶液与含硫化合物在低温下直接反应生成目标产物。所制备的硫化钼具有规整的二维层状结构,且层数为单层或少层。本方法具有简单,易于操作和控制的特点。
汪文津,男,1971.1,工学博士,副教授,硕士生导师。作为主要完成人参与完成了国家级项目2项、省部级项目6项,局级项目3项;获得天津市技术发明一等奖1项(第2完成人),天津市科技进步二等奖1项(第3完成人);发表学术论文40余篇,被SCI、EI检索15篇次;以第一完成人获得专利10项。

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