搜索结果: 91-105 共查到“电子科学与技术 晶体管”相关记录158条 . 查询时间(0.168 秒)
场效应晶体管是电子学的基本元件。有机场效应晶体管由于其在柔性、大面积、低成本的电子纸、射频商标和存储器件等方面的潜在应用而受到人们的广泛关注，是有机半导体材料和器件研究领域中的重要前沿方向之一。在中国科学院（先导B）、国家自然科学基金委和科技部的大力支持下，中国科学院化学研究所有机固体重点实验室和相关单位合作，最近在高性能、柔性和喷墨打印高分辨率有机场效应晶体管的研究方面取得新进展，有关结果均发表...
中国科学技术大学合作制备出二维黑磷场效应晶体管（图）
二维黑磷场效应 晶体管 石墨烯 电子技术
2014/3/6
近日，中国科学技术大学教授陈仙辉课题组在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得进展。研究组与复旦大学教授张远波、封东来和吴骅课题组通力合作，成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管。该研究成果于3月2日在线发表在《自然·纳米科技》杂志上。
大连交通大学电工与电子技术课件第14章 二极管和晶体管。
专用集成电路与系统国家重点实验室成功研制出半浮栅晶体管器件
专用集成电路 系统国家重点实验室 半浮栅晶体管器件
2013/8/29
随着动态随机存储器存储密度的提升，电容加工的技术难度和成本大幅度提高，成为制约动态随机存储器发展的关键性因素。因此，科研人员一直在寻找可以用于制造动态随机存储器的无电容器件技术。专用集成电路与系统国家重点实验室（复旦大学）张卫教授团队长期以来一直从事集成电路工艺和新型半导体器件的研发，于近期取得重大突破，成功研发出半浮栅晶体管（SFGT）。采用该新器件构成的动态随机存储器，无需电容器便可实现传统动...
印刷电子技术是最近5年来才在国际上蓬勃发展起来的新兴技术与产业领域，印刷电子技术成为当今多学科交叉、综合的前沿研究热点。高性能新型印刷电子墨水的研制成为印刷电子技术最关键的技术之一。半导体碳纳米管与其他半导体材料相比不仅尺寸小、电学性能优异、物理和化学性质稳定性好，而且碳纳米管构建的晶体管等电子元件具有发热量更少以及运行频率更高等优点，同时碳纳米管容易实现溶液化，分离纯化后的半导体碳纳米管印刷墨水...
访《科学》论文作者：横空出世的半浮栅晶体管
集成电路技术 《科学》 半浮栅晶体管 微电子器件
2013/8/21
2013年8月9日出版的《科学》（Science）杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管（SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor）。这是我国科学家在该顶级学术期刊上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成果，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。
中国科学家研制出首个半浮栅晶体管
中国 科学家 半浮栅晶体管
2013/8/12
复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管（SFGT）。2013年8月9日，美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破
中国科学家晶体管开发取得突破
晶体管 集成电路 微电子器件
2013/8/9
中国研究人员8月8日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速，整个过程都可在低电压条件下完成，为实现芯片低功耗运行创造了条件。
纳米纸有机晶体管问世 向纸质电子产品迈出重要一步
纳米纸 有机晶体管 纸质电子产品
2013/3/21
近日，同济大学材料科学与工程学院教授黄佳、美国马里兰大学材料科学与工程系教授Hu Liangbing等共同完成的研究论文《全透明可弯曲纳米纸晶体管》，在线发表于纳米科学技术领域权威期刊ACS Nano。
美国研制出新型“4维”晶体管
美国 新型“4维”晶体管
2012/12/7
据物理学家组织网2012年12月6日（北京时间）报道，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明：一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管，其重要组件“门”（栅极）的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为“4维”晶体管的新事物预告了引领半导体工业和未来计算机领域发展的潮流。该研究成果将于12月8日至12日在旧金山举行的国际电子元器件会议上以两篇论文的形式提交。
美科学家拟研制新式真空晶体管突破摩尔定律限制
美科学家 真空晶体管 摩尔定律
2012/7/14
据物理学家组织网近日报道，美国科学家在近日出版的《自然—纳米技术》杂志上宣称，他们打算用真空替代硅电子设备作为电子传输媒介，据此研发出的新式真空管有望突破摩尔定律的藩篱，彻底改变电子学的面貌。
微电子研究所太赫兹晶体管研究取得新进展（图）
微电子研究所 太赫兹晶体管 研究
2011/4/12
太赫兹波（T-ray，0.1–10 THz）在公共安全、无损检测、射电天文、环境监测、宽带通信、空间探测、生物医学等方面具有重要的应用前景，高性能太赫核心器件的研制是太赫兹技术在实用化进程中的关键环节。近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）刘洪刚研究员带领的研究团队在太赫兹核心器件研究方面取得进展。
基于超薄砷化铟材料的新型纳米级晶体管
超薄砷化铟材料 纳米级晶体管
2010/12/16
美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的研究者成功地将超薄砷化铟材料集成到硅衬底上，制造了拥有优异电子性能的纳米级晶体管。III-V族半导体砷化铟拥有较佳的电子迁移率和速度，是未来高速低功耗电子器件的发展方向之一。
由于易于集成, 基于有机场效应晶体管的非挥发性存储器件在低成本、轻便、柔性存储领域具有广泛的应用前景. 本文综述了浮栅型、有机电介体型和铁电型以及其他一些特殊结构的有机场效应晶体管存储器的最新研究进展, 并对目前所存在的主要问题进行了讨论.