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搜索结果: 1-11 共查到材料科学基础学科 晶粒尺寸相关记录11条 . 查询时间(0.136 秒)
进行了2μm及8μm,19μm三种晶粒尺寸的细晶粒TC4钛合金常规TIG焊试验,分析了母材晶粒尺寸对钛合金焊接接头组织转变规律及力学性能的影响.结果表明,细晶粒TC4钛合金焊缝中心和热影响区组织相似,为α马氏体组织.相同焊接规范下,随着晶粒尺寸的减小,焊缝中心和热影响区组织由编织(网篮)状α组织向片状组织过渡;随着晶粒尺寸的减小,热影响区晶粒长大越来越明显,热影响区细晶区(FHAZ)明显变窄,热影...
通过热模拟压缩实验, 研究了铁素体相变前的奥氏体晶粒尺寸对基于动态相变的热轧C-Mn-Al-Si系TRIP钢组织及力学性能的影响. 结果表明, 减小原始奥氏体晶粒尺寸, 可促进动态相变时的铁素体相变动力学, 有利于铁素体、贝氏体及残余奥氏体等相分布更为均匀, 获得的贝氏体束及贝氏铁素体尺寸较小, 残余奥氏体的体积分数及C含量均较高, 细小的颗粒状残余奥氏体数量较多且弥散分布, 因此可获得具有较高强...
采用电子束—物理气相沉积法(EB-PVD)制备了6个厚度为15~62 nm的铂薄膜,研究了纳米薄膜的晶粒尺寸及其对导热性质的影响规律。薄膜厚度小于30 nm时,晶粒平均尺寸接近于薄膜的厚度,晶粒尺寸随着薄膜厚度的增加而增大并趋于定值,当薄膜厚度大于30 nm时,晶粒尺寸约为20 nm。受薄膜表面所引起的尺寸效应和内部晶粒的晶界效应的综合影响,铂纳米薄膜的热导率大大低于体材料的值,并且,纳米薄膜的热...
基于三维个体晶粒表面积的变化率与晶粒拓扑性质之间的定量关系和晶粒尺寸-面数关系的假设, 推导了一个拓扑相关的个体晶粒长大速率方程. 该方程表明, 个体晶粒尺寸变化率不仅与其自身尺寸有关,而且也与拓扑特征有关. 在此基础上, 借鉴最新的关于粒子粗化理论中的晶粒长大连续方程, 对三维晶粒长大过程准稳态阶段的晶粒尺寸分布进行了求解. 结果显示, 所得准稳态三维晶粒尺寸分布是一个单参数函数族. 该结论得...
采用Gleeble1500型热模拟试验机进行单轴热压缩实验,研究了4种不同原始晶粒尺寸的低碳钢在变形温度为700和600 ℃, 应变速率为10 1--10 3 s-1条件下的变形特性及组织演变规律, 探讨了原始晶粒尺寸和热加工参数Z$值对铁素体动态再结晶过程的影响. 结果表明: 在本实验变形条件范围内, 4种不同原始晶粒尺寸的低碳钢均可发生铁素体动态再结晶, 原始晶粒尺寸的减小, 不但在恒定$Z$...
研究了不同固溶处理温度下超纯净18Ni(2200 MPa级)马氏体时效钢晶粒尺寸及分布的变化,以及原奥氏体晶粒尺寸对马氏体时效钢在固溶和时效状态下拉伸性能的影响,初步探讨了其影响机理,结果表明,原奥氏体晶粒随固溶温度的升高而均匀持续地正常长大,晶粒尺寸对固溶态马氏体时效钢的强度和塑性影响微弱,有害元素含量的大幅度降低避免了Ti(C,N)等夹杂物在晶界偏聚而引起的高温固溶下的“热脆”现象,时效状态马...
文章摘要: 为了研究晶粒尺寸对材料强度的影响, 本文采用经典塑性理论与基于机制的应变梯度塑性理论对不同晶粒尺寸铝多晶的应力应变相应进行了模拟分析。结果表明:基于机制的应变梯度本构方程所得的应力应变曲线中,随着晶粒尺寸的减小,塑性应变功明显增加。晶粒直径是20um的应力应变曲线稍稍高于经典塑性理论得到的曲线,这进一步说明随着晶粒尺寸的增大,应变梯度对应力的贡献逐渐减小。同时计算所...
文章摘要: 基于相变动力学原理, 讨论了球形铁素体在奥氏体晶界形核及长大的动力学, 在形核速率教育处中引入变形的作用, 并充分考虑过冷的作用. 探索了预测低温变形诱导析出的α晶粒尺寸的方法. 用该方法进行的计算机模拟结果和实验结果吻合良好, 表明这种理论处理方法可用来模拟这种相变过程.
文章摘要: 以Nd2Fe14B为例, 研究了单相纳米晶硬磁材料中有效各向异性和矫顽力随晶粒尺寸及其分布的变化关系。计算结果表明:材料的有效各向异性和矫顽力随晶粒尺寸减小而降低, 当平均晶粒尺寸小于20 nm时, 其减小更为迅速;晶粒尺寸的非理想分布没有改变有效各向异性和矫顽力随晶粒尺寸的总体变化规律, 但使材料有效各向异性和矫顽力进一步下降. 当微结构因子pc取值为0.7时, ...
文章摘要: 利用纳米压入仪对Si片上的多晶Cu膜进行压入蠕变研究。实验结果显示晶粒尺寸大于200 nm时,应力指数对晶粒尺寸不敏感。当晶粒尺寸小于200 nm时,因压头底部更多的晶粒参与变形, 应力指数随晶粒尺寸的降低而增大.认为薄膜材料存在一个对应力指数不敏感的最小临界晶粒尺寸lc。Cu膜的应力指数随保载载荷增大而增大,其主要原因在于高载荷下位错强化机制使蠕变率降低。
文章摘要: 首次报道了用溶胶--凝胶法制备的钛酸铅铁电玻璃陶瓷的晶粒尺寸对其高频介电性能的影响. 研究表明, 铁电玻璃陶瓷的高频介电弛豫主要是由材料内部的畴壁共振引起的.晶粒尺寸增加, 畴壁宽度增大, 介电弛豫向低频移动; 反之, 晶粒尺寸减小, 畴壁宽度变小, 介电弛豫向高频移动, 弛豫频率提高, 介电损耗变小.

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