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中国科学院上海技术物理研究所低维材料红外探测器件的非对称光耦合研究取得进展（图）
低维材料 红外探测器件 非对称光 耦合
2020/9/15
近日，上海技物所周靖、陈效双和陆卫研究员团队提出了等离激元纳米谐振腔非对称集成的石墨烯红外探测器件，揭示了该复合结构器件高对比度非对称光耦合的原理，验证了基于非对称光耦合突破金属-低维材料-金属探测结构的两大瓶颈问题，实现了泛光照射下显著的自驱动光响应，超越常规的等离激元耦合光栅1个量级，相关结果发表于《碳》（Carbon）杂志。
非致冷Ino．53 Ga0-47 As／InP红外探测器研究
金属有机化学气相沉积 铟镓砷 探测器
2007/12/29
采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料，其晶格失配为2．19×l0一。利用锌扩散制备探测器单元器件，光谱响应范围为0．90—1．70 m，在1．95V偏压下，暗电流为5．75×10～A，在反向偏压为一5V时，电容为6．96×10 F。探测器波段探测率为2．08×10“cmHz W～。
用于非制冷热释电红外探测器的 PZT铁电薄膜研究
2007/12/12
摘要 采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜. 用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层, 在衬底PZT(seed layer)/Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射过量10%Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜. 采用在450℃预退火, 575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理. PZT铁电薄膜获得...
Si基微绝热结构PLZT厚膜红外探测器阵列
无机非金属材料 非致冷红外探测器阵列 溶胶
2007/10/26
文章摘要：
介绍了一种制备非致冷红外探测器阵列的新方法,
此方法避免了使用传统的微电子机械系统(MEMS)工艺来加工微桥.
研究了如何在Si基片表面形成ZnO膜层网格状结构的方法.
ZnO纳米粉末和PLZT厚膜采用改进的溶胶--凝胶法制备.
表征了ZnO纳米粉末的表面形貌和PLZT厚膜的相组成,
测量了PLZT--8/53/47厚膜的铁电性和热释电性. 结果...