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GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管
GaN 垒层厚度 InGaN/GaN量子阱 双蓝光波长
2013/7/25
针对单蓝光波长芯片与Y3Al5O12:Ce3+黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足的问题, 提出了采用双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12:Ce3+黄光荧光粉实现高显色性白光发射法, 并分析了其可行性. 利用金属有机化学气相沉积系统在(0001)蓝宝石衬底上顺序生长两个In0.18Ga0.82N/GaN量子阱和两个In0.12Ga0.88N/GaN量子阱的双蓝光波长发光二极管, 并对不同GaN...
聚合物白光发光二极管的研究进展
掺杂 有机电致发光 聚合物白光发光二极管 固态照明 白光
2010/12/5
针对聚合物白光发光二极管(WPLEDs)在显示和照明领域广阔的应用前景，从器件结构和相关材料方面进行了讨论。从结构上将白光器件分为单发光层器件和多发光层器件；从发光材料的性质上将白光器件分为荧光器件、磷光器件和单一高分子白光器件。通过探讨各种器件的优势和不足，提出了各种器件的发展方向，并对WPLEDs面临的机遇和挑战做出了评述。