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用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜 MOCVD ZnO薄膜 GaAs 低温 2008/3/16

采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O)作为生长源，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法，在100~400℃低温范围内，在GaAs (001)衬底上制备了ZnO薄膜. 利用X射线衍射(XRD), 室温PL, AFM, SEM研究了薄膜的晶体结构特性、发光特性及表面形貌特性. XRD分析表明ZnO薄膜具有很强的c轴取向，(002)峰的FWHM平均值为0.3. .当生长温度达到400℃时从SEM...