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半导体材料是芯片工业的基础，新型半导体材料的研发为提升和扩展半导体芯片的功能带来了更多机遇。近年来，随着器件性能的快速提升，有机无机杂化铅卤素钙钛矿材料已成为公认极具前景的新型半导体材料。
中国科学院金属研究所专利：一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 金刚石颗粒 热界面材料
2023/12/21
本发明属于微电子材料技术领域,具体为一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料 及其制备方法,解决现有芯片和热沉间热界面材料已难以满足散热需求等问题。 本发明所提供的材料由Sn、Bi、In、Ga等金属颗粒和金刚石颗粒混合制成,Sn、 Bi、In等金属颗粒尺寸在20～80μm之间,其占有的体积分数为20～99％。金刚石 颗粒尺寸在5～80μm,占有的体积分数为1～80％。通过上述颗粒状的金属和金刚 石、有机载体...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型掺杂CUCRO2基稀磁半导体材料及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法
南京工业大学柔性电子（未来技术）学院黄维院士、林进义教授团队在《Light: Science & Applications》报道超分子掺杂助力调控有机半导体能带结构和激子行为（图）
黄维 林进义 Light: Science & Applications 超分子 有机半导体 能带结构 激子行为
2023/2/17
近日，柔性电子（未来技术）学院黄维院士、林进义教授团队在超分子掺杂策略调控有机半导体性能研究取得重要进展，相关成果（“Photoexcitation dynamics and energy engineering in supramolecular doping of organic conjugated molecules”）发表在光学工程领域权威期刊Light: Science & Appli...
中国科学院物理研究所／北京凝聚态物理国家研究中心超导国家重点实验室周兴江研究组博士胡成等，与极端条件物理重点实验室靳常青研究组的博士赵建发以及凝聚态理论与材料计算重点实验室的向涛院士合作，利用高分辨角分辨光电子能谱技术，对新型铜氧化物母体Ca3Cu2O4Cl2的电子结构及其掺杂演变进行了系统的研究，取得了重要进展，为掺杂Mott绝缘体的电子结构演变和铜氧化物高温超导体的微观理论研究提供了重要信息。
中国科学院大连化学物理研究所合成新型掺杂发光材料
中国科学院大连化学物理研究所 新型掺杂 发光材料
2020/4/3
近日，中科院大连化物所韩克利研究员团队合成了未掺杂及锰离子掺杂的非铅双钙钛矿纳米晶，并详细讨论了其尺寸效应及发光动力学机理。研究发现，未掺杂锰离子的非铅双钙钛矿纳米晶发射出蓝色荧光，通过掺杂锰离子，可以实现明亮的橙红色荧光发射，证实了合理利用半导体纳米材料亚能带对设计高性能半导体纳米材料具有重要指导意义。相关研究结果日前发表在《美国化学会·中心科学》上。
近期，物理学院戴瑛教授团队发现，二维材料可以实现自掺杂p-n结，该发现对于现代半导体器件的发展具有重要意义。相关研究成果以“Self-doped p-n Junctions in Two-Dimensional In2X3 van der Waals Materials”为题，发表在国际期刊Materials Horizons，7, 504，2020，DOI: 10.1039/C9MH01109A...
近日，我所光电材料动力学特区研究组（11T6组）吴凯丰研究员团队在半导体量子点热电子驰豫动力学研究方面取得新进展，首次观测到了铜掺杂量子点中热电子驰豫的“声子瓶颈”效应。在大多数无机半导体材料中，具有高于半导体带隙能量的热载流子会与晶格（声子）碰撞，快速（亚皮秒级别）弛豫至带边，导致太阳光子中高于半导体带隙的能量以热能形式耗散。这是构成单节太阳能电池中Shockley-Queisser效率极限的主...
高度过掺杂CuO2中无节点高温超导电性理论（图）
掺杂CuO2 无节点 高温超导 电性理论
2018/12/24
在铜基高温超导体中，一个广泛的共识就是超导来源于2维CuO2面。从80年代发现铜基高温超导体起，大量的实验表明铜基超导是一个存在节点的d波配对超导体，其中著名的实验包括美国IBM实验室崔章琪等人在三晶约瑟夫森结中发现的自发量子化磁通实验[1]。2016年，清华大学薛其坤院士团队成功地利用分子束外延技术在d波Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi2212)超导衬底上生长出单层CuO2面[2]. 不同于...
上海交通大学但亚平小组提出自组装单分子膜掺杂技术新方向
上海交通大学 但亚平小组 自组装 单分子膜掺杂技术
2018/1/15
上海交通大学密西根学院但亚平课题组研究发现，自组装单分子膜掺杂会在硅衬底引入碳缺陷，从而降低硅中磷杂质的电学激活率。研究人员由此提出了自组装单分子膜掺杂技术的研究方向，为发展无缺陷态的单分子膜掺杂技术奠定了基础。相关成果日前发表于《自然—通讯》杂志。传统的离子注入掺杂依赖高能离子轰击半导体晶体实现，半导体晶体常遭到破坏。其电学性能因此恶化，而且杂质原子在半导体内随机分布，无法满足当前先进集成电路制...
中国科学院半导体研究所二维半导体磁性掺杂研究取得进展（图）
中国科学院半导体研究所 二维半导体 磁性掺杂
2017/12/19
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材料可能在保持原有半导体光电特性的同时具有磁性。近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验研究员...
半导体之所以能被广泛应用在今日的光电产品世界中，凭借的就是在其晶格中掺杂少量的杂质改变其电性，优化半导体纳米晶体的光、电、磁特性。半导体的掺杂研究为高效率发光器件、太阳能电池、自旋电子器件等新型光电子器件的制造奠定坚实的基础。由于纳米晶体积小，纳米晶体中杂质原子的非均匀分布对器件的工作性能和稳定性存在负面的影响。另外，由于纳米晶体生长速度快，使掺杂过程较难控制。目前的研究表明，半导体纳米晶中的存在...
采用含掺杂半导体光子晶体的太赫兹梳状滤波器
光子晶体 掺杂半导体 缺陷模 太赫兹滤波
2013/11/5
用a 介质（n 型掺杂GaAs）和b 介质（TiO2）组成一含缺陷层的光子晶体。数值计算表明：此光子晶体在3.0~4.5 THz 范围内出现了5 个透射率为1 的缺陷模，这些缺陷模有如下特征：当n型掺杂GaAs 的掺杂浓度n由1017/cm3 增加到1019/cm3 时，缺陷模的中心、半峰全宽度和透射率均保持不变，但若n增至1020/cm3，则缺陷模的透射率开始下降。入射角增加，缺陷模的透射率保持...