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清华大学化学系王训课题组合作发文报道在亚纳米尺度上通过团簇-晶核共组装调控物质组成的材料生长新策略（图）
清华大学化学系 王训 亚纳米尺度 团簇-晶核共组装 物质组成 材料生长新策略
2019/8/19
2019年8月12日，清华大学化学系王训与南洋理工大学李述周课题组团队在《自然·化学》（Nature Chemistry）上发表题为“团簇与无机材料在成核阶段的共组装”（Incorporation of clusters within inorganic materials through their addition during nucleation steps）的研究论文。该论文报道了一种通...
最近三年来，三维拓扑绝缘体的研究在世界范围内取得了飞速进展，并成为凝聚态物理研究中的一个爆发性热点领域。拓扑绝缘体是一类具有非平庸的拓扑对称性(Z2)的材料，其内部绝缘，但在表面上存在着一种无能隙的、线性色散并且自旋与动量锁定的特殊电子态。这种新的量子物质态被预言可以产生出许多新奇的准粒子和物理效应, 如磁单极、Majorana费米子和量子化的反常霍尔效应等。利用拓扑绝缘体的表面态被认为有可能实现...
大尺寸钽酸锂单晶及光学晶体材料生长技术研究及产业化开发
钽酸锂 晶体生长 铱坩埚
2008/11/17
用提拉法（CZ）技术生长Φ3、Φ4英寸钽酸锂单晶是目前国内外普遍采用的方法，控径技术分上、下称重或计算机直接称重。由于上称重可以生长直径更大、重量更重的晶体。所以在试制生长5英寸钽酸锂晶体和实施项目产业化时全面采用了上称重技术并取得满意结果。该课题把上称重与高精度激光晶体炉结合，改进了原拉晶炉籽晶杆的结构，使得用铱金坩埚在保护气氛下生长超大尺寸钽酸锂晶体成为可能，同时还有效克服了晶体生长的常规缺陷...
GexSi1-x材料生长的改善
超高真空化学气相淀积 GeSi X射线双晶
2007/10/26
文章摘要：
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶.在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵, 改善了生长环境.串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec, 且出现了Pendellosung干涉条纹,说明外延层结晶质量很好.