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搜索结果: 106-120 共查到化学工程 薄膜相关记录160条 . 查询时间(0.2 秒)
该项目在反应室外采用同轴电缆,在真空反应室内采用矩形不锈钢导槽不接触式包裹VHF铜板导线,实现VHF信号的良好屏蔽;采用中心点馈入法很好地消除了电极表面的驻波(TEM波)和损耗波(TE波)造成的电场不均匀性问题;保证在VHF-PECVD的辉光区的两个平行板电极绝对平行,无任何金属突起(如金属夹具等),以获得均匀的薄膜材料;采用中心点馈入法对馈线和电极的连接方式进行了特殊设计;通过改变流量,激发功...
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2。用原子力显微镜(AFM)、X线衍射谱(XRD)和X线光电子能谱(XPS)对样品进行表征与分析。研究结果表明:SiCN薄膜表面由许多粒径不均匀、聚集紧密的SiCN颗粒组成;薄膜虽然已经晶化,但晶化并不充分,存在着微晶和非晶成分,通过Jade软件拟合计算出薄膜的结晶度为48.72%;...
纳米TiO_2具有很强的光催化活性,并且具有安全、廉价、应用范围广、无污染、不需高温、节能等优点,是最具有开发前途的绿色环保型催化剂之一。对各种有机污染物,氮氧化合物有很强的氧化净化作用,并且对细菌具有很强的杀灭性能,同时还可以净化各种病毒。在改善人类生活质量和身体健康上有广泛的应用前景。利用纳米粉体,纳米薄膜以及纳米负载技术,结合材料的纳米复合,纳米结构控制,纳米掺杂以及介孔控制等技术,研究出具...
离心薄膜蒸发器是新型高效的蒸发设备。它具有蒸发强度高、物料受热时间短、浓缩液的品质优良、浓缩比高、设备体积小、蒸发室冲洗方便等优点,可广泛用于医药、食品、化工等行业,尤其适用于浓缩热敏性物料。国外离心蒸发设备已应用于许多行业,效果优于其它蒸发设备。为了填补我国这一类型产品的空白,促进中成药生产的现代化,上海医药设计院、厦门化工医药机械厂于1978年开始研制离心薄膜 蒸发器,参照瑞典阿法拉伐公司的同...
The recovery of contaminants and useful substances from liquid wastes, the purification of production effluents and the separation of thermally instable mixtures are some of the multivarious applica...
课题采用闭管真空气相沉积的方法,制备了CdTe薄膜。确定了生长符合CdTe薄膜太阳电池要求的CdTe薄膜的最佳工艺条件。采用真空蒸发和溶液生长方法制备了CdS薄膜 ,确定了其生长的最佳工艺条件,找到了新的SnO_2-ZnO二元系材料作为CdTe太阳电池的 导电层,并成功地采用Ag作为电池电极,MgF_2太阳电池。该电池是采用较为普通的真空 沉积方法获得的,为今后的大规模征生产提供了十分有利的条件。...
项目介绍:提高转换效率和降低生产成本是太阳能电池制作中考虑的两个主要因素。目前,单晶硅太阳能电池在地面应用中占据主导地位,而且转换效率也最高,但其昂贵的生产成本也制约着它大规模的应用。因此,人们一直在寻找单晶硅太阳能电池的替代品,其中开发的非晶硅太阳能电池由于其固有的光致衰退效应导致电池性能不稳定;多晶硅太阳能电池尽管性能稳定,转换效率也较高,但其生产成本仍然很高。近来出现的多晶硅薄膜电池受到了人...
铜铟镓硒(CIGS)太阳能薄膜电池是以普通钠钙玻璃为衬底,磁控溅射法沉积1mm厚的Mo层作为电池底电极,用真空多源三步共蒸发工艺沉积CIGS化合物半导体薄膜,生长厚度大约2mm;第一步蒸发90% 左右的In和Ga,蒸发时间大约控制在15~20分钟,衬底温度为350℃;第二步蒸Cu的时间约25~30分钟内,衬底温度为540℃;第三步蒸发剩余10%的In和Ga,蒸发时间为5分钟,衬底温度仍保持在5...
碲化镉太阳电池是将光能直接转变成电能的半导体器件,其基本结构是n-CdS/p-CdTe异质结,光电能转换效率为11.6%。研究中解决了该型电池的结构设计和制备技术问题,用复合背接触层p-ZnTe/P+-ZnTe︰Cu形成CdTe电池的新结构;掌握了掺铜碲化锌的反常电导-温度关系,发展了ZnTe/ZnTe︰Cu复合背接触层制备和后处理技术;提出了制备硫化镉薄膜的新配方;为近空间升华设备境设三级尾气冷...
太阳能作为一种清洁的、没有任何污染的能源越来越受到和引起世界各国的关注和极大的兴趣。各种光电转化效率高而且器件制作成本低廉的薄膜太阳电池呼之欲出。最初人们利用单晶硅片制作太阳能电池模块,再由大量的模块组装成太阳能电池板。单晶硅太阳能的光电转换效率得到很大的提高,最高的达到24%,这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的。
课题目标是研发薄膜太阳电池的准确测试技术,包括太阳模拟器技术、太阳电池电性能测试技术,少子寿命测试技术。课题取得了如下的研究成果:(1)JD06单次闪光大面积太阳模拟器解决了单次闪光方波脉冲产生的技术难题,基于电容电感(LC)网络发生5-10ms脉宽的光,在5-10ms内光强变化不到1%。研制的JD06单次闪光大面积太阳模拟器实现了对AM1.5太阳光的模拟,对太阳电池组件的九大参数和IV曲线的准...
该项目进行了大面积高效非晶硅单结太阳电池研究。通过研究SnO2透明导电膜对电池性能的影响来确定选用合适的TCO;采用新掺杂剂TMB,提高窗口层带隙宽度,增加短波光谱响应,提高电流密度;在非晶/微晶过渡区沉积稳定非晶硅材料,提高材料结构有序度,减小光致衰退效应;研究了过渡区材料和电池稳定性;提高薄膜的沉积速率来减小电池成本;研究了氢稀释本征层温度对电池的影响;研究非晶硅电池异质结界面对电池的影响来...
该课题对高可靠高效率丝网印刷单晶硅太阳电池部分工艺进行研究和优化组合,摸索出可以批量生产的单晶硅太阳电池最佳工艺过程。实验采用氮化硅薄膜为正表面的钝化减反膜,背面采用丝网印带小窗口的铝浆作背电极,铝浆小窗口处先印上比其略为大一点的银铝混合浆焊脚,正、背面电极一次烧结,同时让正面的银浆电极穿透氮化硅薄膜与Si形成欧姆接触的烧穿工艺,这样获得了最佳的优化效果。取得了大面积(103×103 mm^2)单...
该项目采用甚高频PECVD方法,以常用建筑材料为衬底制备硅基薄膜;通过揭示硅基薄膜的生长机理,优化硅基薄膜沉积工艺,实现器件质量级硅基薄膜的低温、高速率沉积;采用PIN结构,进行单结非晶硅/微晶硅薄膜太阳能电池实验,通过PIN各层薄膜厚度、P与N层掺杂浓度、前电极TCO磁控溅射、背电极蒸发等多种因素的匹配优化与前电极TCO/P、P/I、I/N等界面工程,获得提高非晶硅/微晶硅薄膜太阳能电池性能的关...
该项目建立了比较完整的器件质量级微晶硅材料的表征体系以及达到器件质量级微晶硅材料的制备参数;发现衬底的结构对电池的性能参数有很大影响;得到了沉积参数与电池性能之间的变化关系;采用VHF-PECVD技术制备出优质P层微晶硅材料;提出提高叠层电池效率的新途径;通过调整VHF-PECVD的沉积参数,提高了p层和i层的厚度均匀性;解决了大面积集成型a-Si/μc-Si叠层电池中的微晶硅材料的激光划线问...

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