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金-硅面垒型半导体探测器
半导体探测器 金-硅面垒型
2008/12/17
本文扼要地叙述了金-硅面垒探测器的制备工艺过程,并对此探测器的各种性能,包括伏安特性、势垒电容、噪声、对Po~(210)源α粒子的响应讯号、能量分辨率、温度效应和γ辐照效应等方面作了比较系统的测量。对结果进行了讨论。同时利用测得的结果探讨了一些探测器本身的半导体性能,如平均电离能ε_0和材料的寿命τ等。最后介绍了用表面复盖有硼膜和铀层的这种探测器记录中子的情况。
位置灵敏半导体探测器的测试原理和方法
测试原理 半导体探测器
2008/12/16
本文介绍位置灵敏半导体探测器的测试原理以及不用脉冲除法器而用核物理实验室常规仪器测定位置灵敏半导体探测器性能的实验装置和方法。