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清华大学团队阐释层状半导体芯片新材料的横向结电子器件应用（图）
层状半导体芯片 横向结电子器件 新材料
2022/4/30
先进芯片是当前信息社会和人工智能时代的最底层科技基石，掌握新一代芯片的材料、工艺、器件、设计、制造是相当长时间内科技战略创新的主战场之一。由于经典的几何微缩的摩尔定律在2003年90nm节点，和等效的摩尔定律在2020年7nm节点都相继失效，硅基晶体管的微缩速度大大降低，主要原因是晶体管在多个几何维度进入了亚10nm尺度，传统半导体材料的量子效应开始显现，继续微缩遇到了很大的材料、工艺、器件结构、...
南方科技大学深港微电子学院-小墨芯片三维封装热管理关键材料及系统联合实验室助力辽宁通航电动载人飞机动力锂电池（图）
南方科技大学深港微电子学院 小墨芯片三维封装热管理关键材料及系统联合实验室 辽宁通航 电动载人飞机 动力锂电池
2021/7/20
2021年5月19日，辽宁通航RX4E四座电动载人飞机动力锂电池试验件在天津挂签成功,该动力锂电池采用了南科大深港微电子学院-小墨芯片三维封装热管理关键材料及系统联合实验室研发的新型纳米储热相变材料。动力锂电池是RX4E四座电动飞机电推进系统的重要组成部分，此次试验件顺利挂签，标志着RX4E四座电动飞机动力锂电池已成功达成设计标准。
“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”通过验收
氮化物 LED材料 半导体照明
2012/6/4
2012年5月30日，科技部高技术研究发展中心组织专家，对中国科学院半导体研究所承担的国家863计划新材料领域创新团队项目课题“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”进行了验收。科技部高技术研究发展中心副主任王琦安等领导和专家参加此次验收会；验收专家组成员包括清华大学潘峰教授、北京国科世纪激光有限公司樊仲维研究员，中科院微电子所刘明研究员、北京大学沈波教授、中山大学王钢教授；半导体所副所长陈弘达等有...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：微型压敏电阻芯片材料及其制造方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 压敏电阻 芯片材料
1999/10/27
本发明涉及半导体材料，尤其是微型压每电阻芯片材料及其制造方法，该芯片是以化学纯乙酸锌为主体，以三乙醇胺为溶剂，以柠檬酸为络合物，再加入有机盐，无机盐，稀土盐，用溶胶－凝胶法合成而成多元纳米压敏粉体材料，再用冷等静压技术和半导体晶片加工方法制成微型压敏电阻芯片，该芯片压敏电压范围从６－４５０Ｖ，非线性系数可从１０－４０，通流能力从２－５０Ａ，芯片尺寸从０．５×０．５－５×５ｍｍ↑［２］可调，根据粉体...