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氮化镓（GaN）材料被称为第三代半导体材料，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。其中GaN基紫外半导体激光器具备波长短、光子能量大的特点，在消毒杀菌、病毒检测、激光加工、紫外固化和短距离光通信等领域具有重要应用，一直是国际相关领域的研究热点和技术难点。但由于该激光器是基于大失配异质外延材料技术制备而成，导致其缺陷多、发光效率低，器件研制难度大。