搜索结果: 1-10 共查到“计算机科学技术 NAND”相关记录10条 . 查询时间(0.091 秒)
Enhanced Search And Efficient Storage Using Data Compression In Nand Flash Memories
Nand Flash Search data deduplication MISR
2014/12/8
NAND flash memories are popular due to their density and lower cost. However, due to serial access, NAND flash memories have low read and write speeds. As the flash sizes increase to 64GB and beyond, ...
无缝坏块处理与流水编程的NAND型内存控制器设计与实现
NAND型内存控制器 固态存储器 坏块处理机制 流水存储机制
2014/6/30
为满足航天大容量存储系统对高速存储及数据完整的需求，实现了一个基于NAND型内存的高性能控制器，提出了一种实现于NAND型内存芯片内部的流水编程机制，以及一种可以保证数据无缝连接的坏块处理机制。介绍了存储控制器的各个模块设计，并分析了不同情况编程机制所需的时间计算方法，建立仿真模型，利用蒙特卡洛方法仿真并讨论了流水编程机制的性能优化效果。在实际硬件平台验证了流水编程机制和坏块处理机制，结果表明该大...
基于固态硬盘的RAID-6阵列,在每次数据更新时,都需要计算和写入校验信息,降低了阵列的性能和缩短了固态硬盘的使用寿命,该论文提出了一种基于延迟写入校验信息策略的RAID-6,称为PRAID-6.在每次数据更新时,PRAID-6只计算部分校验信息,写入非易失性存储器P-Cache.在垃圾回收时,将部分校验信息与原校验信息合并,产生新的校验信息,写入固态硬盘.通过实验测试结果表明PRAID-6的响应...
基于FPGA的NAND Flash坏块处理方法
闪存 现场可编程门阵列 坏块
2009/9/13
针对NAND Flash在存储数据时对可靠性的要求，分析传统坏块管理方式的弊端，提出一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的坏块处理方案，采用在FPGA内部建立屏蔽坏块函数的方法屏蔽坏块。该方法彻底屏蔽对坏块的操作，可以实现对Flash的可靠存储。实际工程应用证明其具有较高的可靠性。
美光科技有限公司（纽约证券交易所股票代码：MU）今天宣布，其管理型NAND解决方案组合支持新批准的JEDEC e?MMC 4.4 标准。针对移动应用，美光的 e?MMC 4.4 产品现在提供更多的安全选项和NAND分区管理，使手机制造商能够迅速、容易地过渡到NAND提供的新功能。美光目前正在接受7月份交货的样品订单，预计将在2009年秋季做好批量生产准备。 通过将NAND和闪存控制器集成到一个封装...
美光推出新型34纳米高密度NAND产品，既提高了性能，又降低了芯片尺寸
34纳米 高密度 NAND
2009/8/4
美光科技有限公司（纽约证券交易所股票代码：MU）今天宣布使用其屡获殊荣的34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。随着消费者需要更高的容量以便在越来越小的便携式电子设备中存储更多的音乐、视频、照片及应用程序，制造商需要一种存储解决方案，以实现所需的容量、性能和尺寸。美光的新型16Gb和32Gb的NAND芯片兼具大容量与高性能，为满足当今苛刻的便携式存储需求提供了令人信服的解决方案，该解决方案...
高密度NAND Flash存取性能及其宿主控制器接口
读模式 状态查询 Flash控制器
2009/4/30
介绍了高密度K9K8G08U0M NAND flash芯片的内部组成、引脚配置、各种读操作、页面编程、块擦除、写保护等操作时序和状态查询。提供了NAND flash存储器与其宿主控制器的标准接口逻辑。
Windows CE.net嵌入式操作系统可以使用多种方法实现固化存储启动。该文通过介绍一种基于NAND Flash的Eboot，在Intel公司的PXA270嵌入式处理器上实现了Windows CE.net的固化存储和启动，介绍了Windows CE.net 5.0以NAND Flash为固化存储设备的一类启动方法。该方法启动速度快、成本低，并具有一定的通用性。
Proposal for a Ultra Low Voltage NAND gate to withstand Power Analysis Attacks
Differential Power Analysis (DPA) Low Voltage (LV) Ultra Low Voltage (ULV)
2007/12/30
In this paper we promote the Ultra Low Voltage (ULV)
NAND gate to replace either partly or entirely the encryption block
of a design to withstand power analysis attack.