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中红外2-3微米波段的半导体激光器在光谱分析、气体检测、医学诊断等方面均有重要的应用,且在此波段的航天焦平面器件的测量表征方面也有迫切需求。此波段上的InP基无锑量子阱激光器与GaSb基含锑量子阱激光器相比具有热导率高、衬底价格低质量好且易获得等优点,在材料生长和界面控制方面也具有优势。

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