搜索结果: 1-4 共查到“半导体器件与技术 InP”相关记录4条 . 查询时间(0.063 秒)
近日，东南大学张彤教授课题组基于前期报道的柔性衬底InP异质结双极型晶体管（InP DHBT）制备技术，提出了一种InP DHBT与柔性衬底之间的BCB键合优化工艺，基于该工艺获得了目前文献报道最高的截止频率fT = 358 GHz和振荡频率fMAX = 530 GHz。并且本文评估了两种不同BCB厚度下InP DHBT在柔性衬底上的热阻，测试了对应不同热阻下对器件直流和高频特性的影响。此外，本文...
InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究
半导体界面 阳极氧化 介质薄膜
2009/10/20
本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al2O3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al2O3的介电常数为11～12,Al2O3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在Ec-Ec=0.5eV,其俘获截面约为10-15cm2,Al2O3/InP的界面态密度...
研究了一种用于边入射型探测器的InP基高效光纤-波导耦合器. 它由10个周期的未掺杂120nm InP/80nm InGaAsP (1.05μm带隙)多层膜组成的稀释波导构成. 采用半矢量三维束传播（BPM）方法以及中心差分格式，模拟了不同条件下的光纤-波导耦合效率，从而得到了最优耦合条件. 对于TE偏振和TM偏振模，计算所得到的最高耦合效率分别为94%和92%. 同时，计算表明，此类基于稀释波导...
3毫米波段InGaAs/InP双异质结双极型晶体管研制成功
毫米波频段 双极型晶体管
2008/8/5
中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8毫米波段（26.5～40GHz）之后，3毫米波段（75～111GHz）成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米波单片集成电路（MMIC）由于具有体积小、重量...