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南方科技大学深港微电子学院方小虎课题组在TCAS-I和TCAS-II发表GaN MMIC功率放大器新成果（图）
方小虎 TCAS-I TCAS-II GaN MMIC 功率放大器 传输
2023/9/25
南方科技大学深港微电子学院助理教授方小虎团队在GaN MMIC高效率C波段F类功率放大器和高效率宽带毫米波功率放大器研究领域中取得进展。其中，高效率C波段F类功率放大器以“Design of a Highly Efficient Class-F GaN MMIC Power Amplifier Using a Multi-Function Bias Network and a Harmonic-I...
中国科学院微电子研究所专利：一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
中国科学院半导体研究所赵德刚研究员团队长期致力于GaN基光电子材料外延生长与器件研究。近年来，团队逐步解决了紫外半导体激光器发光效率低、高Al组分AlGaN的p掺杂困难、大失配外延应力调控以及器件自发热等一系列关键问题，在紫外半导体激光器研制方面取得了一系列重要进展。2016年实现了国内第一支GaN基紫外半导体激光器的电注入激射。2022年研制出激射波长为384nm、室温连续输出功率为2W的大功率...
近日，东南大学孙伟锋教授团队在氮化镓（GaN）功率驱动芯片技术上的研究成果，成功发表在集成电路设计领域最高级别会议IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)上。该研究成果为：“A 600V GaN Active Gate Driver with Dynamic Feedback Delay Compensation Tech...
AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究
泄漏电流 阈值电压 接触电阻
2009/5/27
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直 流参数的变化．对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火 温度为500℃，退火时间为5min．该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8. 9%，肖特基栅反向漏电流减小2个数量级，阈值...
AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器
GaN 气体传感器 肖特基二极管 GaN gas sensor Schottky diode
2008/3/16
通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应. 研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2 (N2气中）的响应，计算了器件的灵敏度；并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢；空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用；最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.
GaN Metal-insulator-semiconductor Field Effect Transistor Based on GaN/AlGaN/GaN Double Heterojunctions
GaN Metal-insulator-semiconductor Field EffectTransistorBased GaN/AlGaN/GaN Heterojunctions
2000/4/15
III-N is the most promising material for high-temperature, high-power electronic devices.
There have been many researches on GaN-based metal semiconductor FET (MESFETs). For many
applications, metal...