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适用于RF MEMS能量耦合传输的高Q值电感
微电感 MEMS 能量耦合 电镀
2010/4/9
利用MEMS微电镀工艺技术制作了一种新型的适用于RF MEMS能量耦合传输的高Q值电感，采用ANSOFT公司的HFSS优化平面螺旋电感的结构。在具有高电阻率的玻璃衬底上溅射0.5um的铜层作为下电极；PECVD淀积厚度为1umSiO2 作为中间介质层；在介质层上结合厚胶光刻技术电镀厚为22um的铜作为电感线圈。这套电感制作工艺流程简单、易于与IC制备工艺集成。本文制备的微机械电感在微型植入系统中具...
一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关
RF MEMS 开关 单刀多掷 接触式
2010/4/9
本文设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷（SP4T）RF MEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅（SiON）作为桥膜的双端固定桥式结构，并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导，1个输入端，4个输出端，4个静电驱动的侧拉桥，以及4个驱动引出区（pad）。测试数据表明，开关驱动电压18.8V；插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz，S31...
串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究
射频 微电子机械系统 串联电容式RF MEMS开关 串联电容式 内应力
2010/4/9
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲，从而提高所设计的开关的隔离度，克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同，解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10GHz)的问题。其插入损耗为-0.88dB...