搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 SOI”相关记录24条 . 查询时间(0.501 秒)
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所 专利 非对称 后退阱 背栅 SOI器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所专利：金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 金属源漏 SOI MOS晶体管
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性
栅控 绝缘体上硅 光电探测器 光学特性
2014/6/18
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器，是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础，综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程，介绍和分析了器件结构及其工作原理，建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件，完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段，器件光电流随栅极电压的增大而增大，表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下，器件的内部量...
上海微系统所举办客座教授聘请仪式暨SOI光电集成学术报告会
张峰博士 硅光子 三维光子 学术报告会
2012/2/10
为落实中科院“创新2020”战略，推进所“一三五”规划中SOI技术的突破发展，王曦院士邀请英国Rockley Group公司董事长Andrew Rickman博士和美国普渡大学祁明浩教授2012年2月6日访问上海微系统所开展学术交流并举行客座研究员聘请仪式，所党委副书记俞跃辉主持了仪式和学术报告会。
2011年11月30日，SOI应用研讨会——暨“新微技术论坛”之“重大突破”系列讨论在微系统所举行，来自学术界、产业界、行业协会以及投资界的近百名专家学者参会，共同探讨SOI技术应用现状及前景。
（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成...
SOI 产业联盟访问上海微系统所（图）
产业联盟 访问
2010/5/28
5月24日，SOI产业联盟（SOI Industry Consortium）执行总裁Horacio Mendez一行访问上海微系统所。上海微系统所党委书记、常务副所长王曦，微电子所所长叶甜春及来自华润上华和宏力公司的代表参加了会谈。
SOI 产业联盟访问上海微系统与信息技术研究所（图）
产业联盟 访问
2010/5/28
2010年5月24日，SOI产业联盟（SOI Industry Consortium）执行总裁Horacio Mendez一行访问上海微系统与信息技术研究所。上海微系统与信息技术研究所党委书记、常务副所长王曦，微电子所所长叶甜春及来自华润上华和宏力公司的代表参加了会谈。
SOI小组国际合作成果在Nano Letters上发表（图）
国际合作 发表
2009/12/17
随着晶体管尺寸的不断减小，水平分布的晶体管结构将遇到很大挑战，具有垂直结构的硅纳米线晶体管将会是很有前途的发展方向。作为下一代纳米电子材料，硅纳米线得到广泛应用的关键是要解决电学掺杂问题。具有一维结构的硅纳米线的掺杂同常规的三维体材料有很大的区别，而且缺乏合适的测试手段对如此小尺寸的材料中的载流子分布进行电学表征。
扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究
单晶硅薄膜 SOI技术 材料改性
2009/9/1
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO2上的多晶硅薄膜进行改性的实验。采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜。本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响。实验取得了较好的结果,获得了200×25μm2的单晶区。
一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关
热光开关 多模干涉耦合器 SOI
2009/8/13
本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2 SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模调制状态.深刻蚀多模干涉耦合器具有优越的特性,在实验中测得不均衡度只有0.03 dB,插入损耗－0.6 dB.基于这种耦合器的新型热光开关,其插入损耗为－6.8 dB,其...
一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关
热光开关 多模干涉耦合器 SOI
2009/3/3
本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2 SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模调制状态.深刻蚀多模干涉耦合器具有优越的特性,在实验中测得不均衡度只有0.03 dB,插入损耗－0.6 dB.基于这种耦合器的新型热光开关,其插入损耗为－6.8 dB,其...
我国第一片8英寸键合SOI晶片研制成功
8英寸 SOI晶片
2008/12/2
记者从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉，近日，该所研究员王曦领导的SOI研究小组，在上海新傲科技有限公司研发平台上，通过技术创新，制备出我国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。