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搜索结果: 1-12 共查到电子科学与技术 MMIC相关记录12条 . 查询时间(0.078 秒)
南方科技大学深港微电子学院助理教授方小虎团队在GaN MMIC高效率C波段F类功率放大器和高效率宽带毫米波功率放大器研究领域中取得进展。其中,高效率C波段F类功率放大器以“Design of a Highly Efficient Class-F GaN MMIC Power Amplifier Using a Multi-Function Bias Network and a Harmonic-I...
基于0.25μm栅长GaN HEMT工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段GaN功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz频点处,放大器的峰值功率达19.5W...
1月26日下午,应上海微系统所邀请,United Monolithic Semiconductors(UMS)工艺经理Eric Leclerc 和UMS(亚太区)销售经理Xavier来所进行了“MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨”。会议由五室李凌云博士主持,近30人参加了会议。Xavier介绍了UMS的总体概况,UMS全球及中国区代工业务分布及潜在市场。据介绍,目前中国占领UMS流片代工业...
2010年1月26日下午,应上海微系统与信息技术研究所邀请,United Monolithic Semiconductors(UMS)工艺经理Eric Leclerc 和UMS(亚太区)销售经理Xavier来所进行了“MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨”。会议由五室李凌云博士主持,近30人参加了会议。
本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7~12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波...
砷化镓芯片特别是高频大功率放大器是通讯产业的关键技术。该项目是国内迄今很少的几家在高频、大功率、低噪声等高端砷化镓芯片产品方面实现自主设计开发,并实现产品批量化的单位之一,开展的砷化镓高频微波集成电路,特别是高频大功率放大器芯片的开发,是国际集成电路领域的前沿,具有重大的创新性,技术水平达到国内领先。开发的砷化镓高频大功率芯片产品填补了国内的空白,指标同国际大公司的同类产品类似,某些指标高于...
提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器. 该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出. 通过将MMIC技术与混合集成技术相结合的方法,大大降低了调试难度,更重要的是,克服了通用pHEMT MMIC工艺难于兼容高Q值的变容管对超宽带设计VCO的限制,在相位噪声和调谐频率线性度方面都有较大改善. 该方法为微波、毫米波压控振荡器的...
该项目是国家自然科学基金重点项目:“单片微波集成电路基础理论与基本技术的研究”的成果之一。单片微波集成电路已由单个部件的电路向由多个部件在同一基片上组成的多功能单片微波集成电路发展。目前的设计方法是对多个部件分别按线性电路、弱非线性电路、强非线性电路进行设计,然后由设计者再作具体考虑适当修正,尚不能对多功能MMIC作总体的全局性设计。采用该项目所研制的电路机辅设计软件,可对多功能MMIC作全局性设...
A generalized three-dimensional computational numerical code is developed for Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) structures based on a full wave approach using integral equation techniques...
In this paper two active MMIC mixers for RF front-end applications are described. A down-converter that converts an RF signal (fRF=10.45 GHz) into an IF signal (fIF=0.95 GHz) using an LO s...
In this paper a MMIC QPSK modulator is described. The bit rate of the baseband signal is 155 Mbits/sec, while the frequency of the carrier is fLO=10 GHz . The modulation is performed directly at...
This paper reviews the principal activities of NEDI in the field of GaAs MMIC’s with the emphasis on the fabrication technologies and products characteristics. It also describes some highlights of NED...

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