搜索结果: 1-12 共查到“电子科学与技术 IBM”相关记录12条 . 查询时间(0.093 秒)
日本经济产业省将与IBM合作开发尖端半导体
日本经济产业省 IBM 半导体
2021/6/10
日本经济产业省将与美国IBM合作，强化尖端半导体的开发。IBM将加入日本经济产业省的共同开发框架。在半导体设计和基础研方面领先的IBM与在半导体生产设备方面占有优势的日本企业合作，有利于尽快确立制造技术。还计划在半导体供应链方面强化日美合作。
IBM碳纳米管商用技术取得重大突破（图）
IBM碳纳米管商用技术 半导体
2015/10/4
IBM的研究人员近期宣布，已经攻克了碳纳米管生产中的一个主要挑战，这将有助于生产出具有商业竞争力的碳纳米管设备。
过去几十年，半导体行业尝试向单块计算机芯片中集成更多硅晶体管，从而不断加强芯片的性能。不过，这一发展很快就将遭遇物理极限。目前，IBM的研究人员表示，凭借“重要的工程突破”，碳纳米管晶体管替代硅晶体管未来将成为现实。
应半导体所集成技术中心主任杨富华研究员的邀请， 2011年4月25日上午，美国IBM Thomas J. Watson研究中心的Qinghuang Lin教授来半导体所进行学术交流，并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第141期报告。
IBM、EPFL合作研发低能耗半导体新材料
半导体 材料
2010/11/10
10月27日，洛桑联邦理工学院（Ecole Polytechnique Federale de Lausanne）和IBM宣布了一项欧盟赞助的研究项目，将研发新的半导体材料，来取代今日普遍使用的耗电严重的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。参与单位还包括欧洲范围内多家知名学术界和企业界研究机构，如英飞凌科技、Global Foundries、CEA-LETI、德国于利希研究中心（FZJ）...
IBM 发现世界最快的石墨烯晶体管
石墨烯 晶体管
2010/3/17
IBM公司研究人员发现具有最高截止频率的射频石墨烯晶体管，频率为100 GHz，高于迄今所有石墨烯设备。项目由美国国防部高等研究计划局（DARPA ）资助，旨在开发新一代通信设备。
IBM展示运行速度最快的石墨烯晶体管
IBM 石墨烯 晶体管
2010/2/8
在刚刚出版的《科学》杂志上，IBM的研究人员展示了一种由石墨烯材料制作而成的场效应晶体管（FET），其截止频率可达100吉赫兹（GHz），这是迄今为止运行速度最快的射频石墨烯晶体管。这一成就是美国国防部高级研究计划局“碳电子射频应用项目”取得的重大进展，为研发下一代通信设备铺平了道路。
ARM和IBM将合作开发32nm和28nm工艺SoC
合作开发 工艺
2008/11/4
据日经BP社报道，英国ARM于2008年10月21日在东京举行新闻发布会，与美国IBM等共同介绍了32nm、28nm工艺SoC（系统芯片）设计平台的合作开发详细内容。共同开发的具体内容是：两公司将面向IBM、新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing）和韩国三星电子采用的Bulk CMOS通用制造平台“Common Platform”，共同开发对于...
IBM大型聚光透镜和冷却系统技术提高太阳能发电效率
聚光透镜 系统技术 太阳能 效率
2008/6/10
美国IBM日前发布了运用大型聚光透镜和LSI用冷却系统提高聚光型太阳能电池（Concentrator Photovoltaic,CPV）发电效率的技术。使用该技术，可大幅削减太阳能发电设施的建设及运营成本。
IBM领导高k/金属栅极技术开发 着眼下一代32纳米器件工艺
技术开发 纳米 器件 工艺
2007/12/25
IBM及其合作开发伙伴日前宣布，它们用于下一代32纳米器件的高k/金属栅极技术将在2009年下半年向IBM合作伙伴及其客户提供。IBM的合作伙伴包括AMD、特许半导体、英飞凌、三星和IBM。利用高k/金属栅极工艺技术，IBM及其伙伴能够把芯片尺寸最多经45纳米芯片缩小50%。45纳米芯片尚未量产，预计在2008年第一季度末开始增加产量。
索尼结盟IBM东芝 拓展高性能半导体制造联盟
拓展 制造 联盟
2007/10/26
索尼公司和索尼电脑娱乐公司（索尼集团）于22日宣布了两份独立签署的最新合作协议，目的是增强索尼集团的PlayStation业务规模。根据协议内容，IBM和索尼将双方之间现有的生产合作关系拓展到45纳米绝缘硅（SOI）业务中，以批量生产Cell宽带引擎（Cell/B.E）处理器。两家公司将通过合作优化45纳米绝缘硅的生产能力，为索尼集团的PLAYSTATIONreg;3生产更低能耗、更低成本的处理器...
IBM光芯片获突破 或取代传统半导体电路
IBM 光芯片 半导体芯片
2006/12/26
2006年12月26日消息，IBM宣称在光芯片领域获得重大突破，已成功减缓光信号在芯片中的传输速度，将来可用于传送资料，取代传统的半导体芯片电路。