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中国科学院微电子研究所专利：提取芯片版图的版图图形特征的方法及CMP仿真方法
基于CMP的高密度计算机多目标设计方法
多目标 权衡 协同设计 片上多核
2012/4/25
面向高端应用的高效能计算机一般具有高性能、高集成度、高热密度、高复杂性的特点，其研制是一项复杂的系统工程。每一环节，存在功能、性能、可靠性等相互制约但需同时兼顾的多个目标。在实践中这些方面的权衡设计如何以有序的方式展开，是一个亟待解决的关键问题。提出了可靠性与功能、性能权衡的设计方法，并应用到一款基于国产多核处理器的16路高密度计算机的自主研制中，软件仿真分析和系统实测验证了该权衡设计方法的有效性...
推导了具有对流效应的化学机械抛光(chemical mechanical polishing, CMP)润滑模型,研究各参数对压力场分布的影响. 在此模型基础上，研究了磁流体抛光液在外界磁场作用下的润滑模型, 以及外磁场对抛光过程中压力场分布的影响. 数值结果表明, 具有对流效应的润滑模型的压力分布与已有经验结果更一致，能更为有效地解释CMP过程中 的负压现象; 进一步通过外界磁场的作用, 可以有...
中科院微电子所自主研发的CMP工具交付中芯国际设计服务部门试用（图）
中科院微电子所 CMP工具交付中芯
2009/11/30
近日，中科院微电子研究所电子设计平台与共性技术研究室（七室）经过近3年的努力，在DFM研究中取得显著进展。由室主任陈岚研究员带领的DFM研究小组目前已完成了65纳米电镀铜生长（ECP）和化学机械研磨（CMP）工艺模型建模的工作，ECP/CMP工艺模型得到中芯国际DFM部门认可并推广到中芯国际Design Service部门运行。
超大规模集成电路（ULSI）SiO_2介质CMP机理研究
CMP 集成电路 氧化硅介质
2008/10/30
该项目针对1990年以来国际上ULSI制备中多层布线介质化学机械全局平面化（CMP）急待解决的机理问题，提出了新的动力学过程，在（CMP）过程中形成大分子产物加速产物脱离反映表面，提高抛光速度的新机理模型；对抛光后解决表面吸附粒子及金属杂质和有机物难题提出了有限吸附数学模型，在此模型指导下进行了活性剂的选择研究，有效控制避免杂质在表面形成难清洗的化学吸附，实现表面长期处于易清洗的物理吸附。达到国...