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U-10Mo/Al-Si固体扩散行为
U-10Mo/Al-Si U-Mo合金
2009/12/3
采用扩散偶方法研究U-10Mo合金与Al-xSi(x＝0，1，2，5，7，9，质量分数)合金的固体扩散行为。实验在真空热压炉中完成，退火温度为555、570、580、590和595℃，时间为5～10h。实验结果表明：退火条件对扩散行为有显著影响，580℃是U-10Mo/Al-xSi扩散行为的重要分界点；当温度低于580℃热压退火处理时，扩散层厚度随Si含量的增加先急剧减小然后缓慢增大；当温度高于...
一种监测低能X射线的Si探测器
Si光电二极管探测器 低能X射线 X射线爆发
2009/8/4
低能（50keV以下）光子探测器广泛应用于外大气层核爆监测，天体物理现象研究。采用半导体探测单元试制了低能X射线探测器模块。说明了配置多探测器系统的方法，并介绍了探测单元模块的设计、主要试验和技术指标。室温下噪声等效输入光子能量为2.1keV。
Si同位素分离单机供料流量的优化
Si 同位素分离 供料流量 分离功率
2009/3/30
介绍了二元和多组分同位素混合物的分离功率表达式。以SiHCl3（硅氯仿）为工作气体，在分离装置上进行单机分离实验，得到了供料流量与各分离性能参数之间的关系。结果表明，当供料流量在20克每小时附近时，单机分离性能最佳。
强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响
X射线 Si-SiO2界面 辐射损伤
2009/2/13
利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照，测量了C-V曲线和I-V曲线。实验发现，经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照，使C-V曲线产生了正向漂移，这一点与低剂量率辐射结果不同；辐射后，感生I-V曲线产生畸变；特别地，从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性 参数明显退化，最后甚至失效。讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO2界面产生损伤的机理，并对实验结果进行了...
强脉冲X射线辐照在Si-SiO2中感生的界面态及退火消除
X射线 强辐射场 界面态
2009/2/13
利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照，测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示，经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照，在Si-SiO2界面感生出新的界面态，感生界面态的增加与辐照剂量成正比，并且易出现饱和现象。总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式，并定性分析了Dit随D变化的行为。随后进行的退火实验表明，强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多，退火时这些界面态就消除...
用于等电子谱线法诊断电子温度的Mg/Si混合膜制备工艺研究
电子温度 复合靶 镁硅混合膜
2009/1/8
进行了在单靶头磁控溅射装置上采用复合靶溅射制备Mg/Si混合膜的工艺研究 ,制备出了不同组分的Mg/Si混合膜 ,并利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )、透射电镜 (TEM )等测试手段 ,对混合膜的结构进行了初步分析。分析结果表明 :Mg/Si混合膜中的镁以单取向多晶形式存在 ,硅以非晶形式弥散在镁的晶粒之间
在Si中In的热退火现象的扰动角关联研究
Si 时间微分扰动角关联方法 热退火
2009/1/7
文章采用时间微分扰动角关联方法细致地研究了核反应反冲注入到Si中的In的热退火现象。反冲注入后约70％的In处在高密度辐射损伤晶格无序区,随退火温度升高,晶格无序区逐渐缩小,经600℃退火后消失。但是实验发现,经798℃退火后,只有55％的In原子位于无扰动晶格替代位置,尚有45％的In原子仍处于扰动位置。文中对可能的扰动原因进行了讨论。
HP-Siγ射线计数器
高阻硅 γ射线计数器
2008/12/19
HP-Siγ射线计数器是目前室温条件下γ射线强度测量较为理想的探测器,它具有工作偏压低、体积小、线性好、性能稳定等特点。
Si(Li)~(133)Xe探测器
Si(Li)探测器 ~(133)Xe 流程监督
2008/12/18
一、引言 ~(133)Xe是惰性气体氙的一种人工放射性同位素。由于它具有γ射线能量低(81 keV)、
被污染Au-Si表面势垒探测器性能的恢复方法
探测器 金硅面垒
2008/12/17
金硅面垒半导体探测器是带电粒子能谱测量和α,β放射性强度测量的重要探测元件。这种探测器具有近似理想的伏安特性、噪声低、入射窗薄、线性好、脉冲上升时间短,能量分辨好等优点;另外又能做成各种几何形状如园形、矩形、环形、条带阵列以及探测器耗尽厚度可根据工作需要直接制备出厚为几微米到几毫米的全耗尽探测器;还可通过较灵
高分辨Si(Li)探测器系统
高分辨 Si(Li)探测器
2008/12/17
一、引言 Si(Li)探测器系统主要包括Si(Li)探测器、低噪声前置放大器、低温装置等。Si(Li)探测器系统配上测试系统即组成Si(Li)X射线荧光谱仪,广泛应用于科学研究和工矿企业。
高分辨网栅型Au-Si表面势垒探测器的制备和性能
势垒探测器 网栅型
2008/12/17
制备了对紫外光灵敏且有较高能量分辨的网栅型Au-Si表面势垒探测器,其有效面积为12.56cm~2,金网栅电极厚195×10~(-10)m。对~(241)Am 5.486 MeV α粒子在室温和低真空条件下能量分辨是55-80 keV。探讨了制备工艺并测试了性能。