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最近，中国科学院上海硅酸盐研究所李国荣研究员科研团队在ZnO导电陶瓷研究中取得重要进展。该团队通过晶粒及晶界缺陷设计的方法，成功消除了ZnO晶界处的肖特基势垒，制备出高导电的ZnO陶瓷，其室温下的电导率高达1.9×105 Sm-1；同时缺陷设计也降低了材料的晶格热导率，使该陶瓷呈现良好的高温热电性能，其在980K的功率因子达到了8.2×10-4 W m-1 K-2，较无缺陷设计的ZnO陶瓷提高了5...
