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采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化，并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二极管器件，并进行了SEM、C-V和I-V表征分析，研究了HgCdTe/钝化层之间的界面特性及其对器件性能的影响。结果表明，钝化工艺改进后所生长的CdTe薄膜更为致密且无大的孔洞，CdTe/HgCdTe界面晶格结构有序度获得改善；采用改进的钝化工艺制备的MIS器件...
基于CdSe/ZnS量子点薄膜结构的高双折射光子晶体光纤的色散与损耗控制
光子晶体光纤 CdSe/ZnS量子点 薄膜 双折射 色散 损耗 控制
2014/8/27
基于有限元法,设计了一种六边形排列含CdSe/ZnS量子点薄膜结构的高双折射光子晶体光纤,分析了具有不同厚度CdSe/ZnS量子点薄膜光子晶体光纤的色散及损耗特性.结果表明,含CdSe/ZnS量子点薄膜结构的光子晶体光纤在x和y方向均存在基模.当泵浦光波长逐渐增加时,具有相同厚度CdSe/ZnS量子点薄膜光子晶体光纤的双折射值逐渐增大,x和y方向总色散先增大后减小且存在两个零色散点,损耗逐渐增大并...