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CoSb3纳米薄膜的制备与热电性能纳米材料 CoSb3 低压化学气相沉积热电性半导体 2015/11/26

通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800 K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优值在773 K出现且为0.114.这种纳米薄膜材料在研制新型高效热电半导体方面极具应用前景.