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搜索结果: 1-2 共查到“光电探测器及光探测技术 InGaAs/InP”相关记录2条 . 查询时间(0.031 秒)
InGaAs/InP光电探测器。
摘要:采用激光微细加工技术来制作单片集成光接收机的探测器，在制作过程中，用固态杂质源10.6 μm激光诱导Zn扩散工艺来进行探测器的p-区掺杂。制作出平面型顶部入射的InGaAs/InP PIN 光探测器，响应度为0.21 A/W。分析了激光诱导扩散中影响探测器性能的因素，因此提出了扩散温度自动控制、扩散区温度分布均匀化及激光焦斑与扩散区精确对准等相应的改进方法。

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