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搜索结果: 1-11 共查到光电探测器及光探测技术 石墨烯相关记录11条 . 查询时间(0.551 秒)
近日,日本电信巨头NTT宣布与美国国家材料科学研究所(NIMS)合作,双方共同实现了世界上最快的石墨烯光电探测器(PD)的零偏压操作(220GHz)。此外,NTT和NIMS的这项合作研究首次阐明了石墨烯的光电转换(O-E)过程。
近年来,单层石墨烯由于其狄拉克锥中的高迁移率电子(狄拉克费米子),在太赫兹探测技术中的应用备受关注。对于未掺杂的石墨烯,超快太赫兹电导率弛豫主要由电子-声学声子超碰撞耦合驱动。然而,关于具有负光诱导太赫兹电导率的CVD生长的石墨烯,目前研究人员对其在小于10ps时间尺度下的太赫兹电导率弛豫过程的主要方面尚未达成共识。
据物理学家组织网2021年2月17日消息,瑞士洛桑联邦理工学院的研究人员通过使用3D气溶胶喷射打印,开发了一种生产高效X射线探测器的新方法。这种新型探测器可以很容易地集成到标准微电子设备中,从而大大提高了医疗成像设备的性能。研究成果发表在美国化学学会科学月刊《ACS Nano》上。这种新型探测器是由洛桑联邦理工学院基础科学学院福罗带领的研究小组研发的,其由石墨烯和钙钛矿组成。利用瑞士电子...
近日,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光子实验室的于伟利与罗切斯特大学郭春雷研究团队合作针对基于钙钛矿多晶薄膜的光电探测器性能易受晶界和晶粒缺陷的影响这一问题,采用空间限域反温度结晶方法,合成了具有极低表面缺陷密度的MAPbBr3薄单晶,并将该高质量的薄单晶与高载流子迁移率的单层石墨烯结合,制备出了高效的垂直结构光电探测器。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室高端硅基材料与应用课题组,在高质量水平石墨烯p-n异质结的阵列制备及其光电探测方面取得新进展。狄增峰、王刚等研究人员结合离子注入技术和化学气相沉积(CVD)技术,利用“异质原子成核-促进石墨烯再生长”两步动力学路径制备出精准掺杂石墨烯材料。通过控制注入离子的种类和剂量,实现了具有精确掺杂浓度的n型和p型石墨烯;通过选区注入,在同一基底的...
石墨烯太赫兹探测器受限于材料的低开关比和弱饱和特性,难以在太赫兹波段获得较高的器件响应。基于热电子原理的石墨烯器件具有较宽波段的吸收能力,有望突破基于传统混频原理对器件制备工艺的严格要求,有利于大面积的器件集成。
利用石墨烯作为电极的肖特基结光电探测器具有暗电流低、响应速度快和正面入射等优势。然而,二维石墨烯薄膜无法在硅基衬底实现原位生长,石墨烯电极的形成需要采用基于有机支撑材料的湿法或者干法转移工艺,而转移工艺不可避免的有机残留会造成石墨烯-硅异质结结界面的污染,降低肖特基势垒质量,从而影响光电探测器的光电响应;此外,二维石墨烯薄膜生长所需的金属催化剂在转移过程的残留也会对器件质量产生不利影响。三维石墨烯...
中国电子科技集团有限公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国科学院纳米器件与应用重点实验室再次合作,在高灵敏度石墨烯场效应晶体管(G-FET)太赫兹自混频(Homodyne mixing)探测器的基础上,实现了外差混频(Heterodyne mixing)和分谐波混频(Sub-harmonic mixing)探测,最高探测频率达到650 GHz,利...
中国电子科技集团有限公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室与中科院苏州纳米所、中科院纳米器件与应用重点实验室再次合作,在高灵敏度石墨烯场效应晶体管(G-FET)太赫兹自混频(Homodyne mixing)探测器的基础上,实现了外差混频(Heterodyne mixing)和分谐波混频(Sub-harmonic mixing)探测,最高探测频率达到650 GHz,利用自混频探测的响应度对外差...
中科院苏州纳米所、中科院纳米器件与应用重点实验室秦华团队与中国电子科技集团有限公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室合作,成功获得了高灵敏度石墨烯(Graphene)太赫兹探测器,灵敏度达到同类石墨烯探测器的最好水平,该结果近期发表在碳材料领域著名的Carbon杂志上---Carbon 116, 760-765 (2017)。
最近,浙江大学硅材料国家重点实验室和浙江大学材料科学与工程学院的皮孝东老师和杨德仁老师与浙江大学信息与电子工程学院的徐杨老师合作,研究了硅量子点耦合增强型石墨烯/硅肖特基结的高性能光电探测器,相关论文于2016年4月9日在知名学术期刊Advanced Materials上在线发表。浙江大学研究生余婷和王锋为该论文的共同第一作者。

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