工学 >>> 光学工程 >>> 光电子技术 >>> 激光及激光器技术 微结构光学 光子集成技术 光纤光学及技术 非线性导波光学 光电探测器及光探测技术 光电子材料
搜索结果: 1-15 共查到光电子技术 HgCdTe相关记录15条 . 查询时间(0.053 秒)
为了评定基于室温中红外HgCdTe光导探测器的氟化氘激光阵列靶斑仪系统的测量不确定度,需要对HgCdTe光导探测器响应率的温度特性进行定量分析.理论分析了室温中波红外HgCdTe光导探测器响应率与温度和波长的关系,得出了在一定范围内探测器响应率可以近似表示为温度和波长变量分离函数形式的假设.采用波长为3.8 μm和1.31 μm激光光源,分别测量了在-40℃~+30℃温度范围内室温中波红外HgCd...
使用超连续谱激光辐照PV 型线阵HgCdTe 探测器,探测到了线阵器件输出信号随光照强度变化的全过程,发现了被辐照单元过饱和降压、低压稳定输出的反常响应规律;同时,未被辐照单元也存在响应。在总结实验响应规律的基础上,给出了各不同响应阶段功率阈值范围,并分别对辐照单元出现的过饱和降压、低压稳定输出等异常现象及未被辐照单元存在的整体降压反常响应现象进行了深入研究。研究认为采用CDS 相关双采样电路使器...
甚长波指的是波长大于14 μm的波段,该波段富含大量的信息,包括大气中的湿度和CO2的含量,以及云层的结构和温度的轮廓,这些对大气遥感探测是必须的。采用在CdZnTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成平面结,制成了在液氮温度下,截止波长达到14 μm的单元变面积结构和小的焦平面器件。测试结果显示,甚长波器件有反向的开启现象,可能是甚长波器件表面发生反型造成的。单元变面积器件...
利用PV型探测器开路电压的表达式,并考虑探测器的温度变化建立模型,对激光辐照下PV型HgCdTe探测器开路电压的变化进行了理论计算。当激光较弱时,计算结果与实验结果符合得很好。当激光较强时,对于辐照过程当中探测器输出变化的一般性趋势以及激光完全停照后的热弛豫过程,该模型也能给出较好的解释;但对于激光开始辐照时输出下跳和激光停止辐照时输出上跳的反常现象,该模型不能给出合理的解释。分析认为,该模型较好...
HgCdTe长线列中长波红外探测器技术。   
MBE生长HgCdTe材料的As掺杂退火的研究。
在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe
热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响。
随着红外探测技术的发展,对红外探测器的要求越来越高,因此精确测量红外探测器的光谱响应度是非常必要的。对HgCdTe探测器光谱响应度的测试技术进行了研究。在红外探测器光谱响应度测量装置上,通过腔体热释电探测器相对光谱响应度的自校准完成了HgCdTe探测器相对光谱响应度的重复测量和标定,并给出测量结果的平均值。用由低温辐射计标定过的硅探测器对该HgCdTe探测器的绝对光谱响应度进行量值传递,从而实现了...
摘要:用连续波DF激光辐照PV型HgCdTe红外探测器,得到不同辐照功率密度下,探测器响应输出的一系列实验结果,观察到器件饱和以外的如探测器混沌、探测器单极化等一些新现象,这些结果与理论预期有着较大差别。给出了实验结果的初步解释,该实验结果为今后更好地研究PV型HgCdTe探测器提供了新的线索。
摘要:分别用连续波1.319μm激光和10.6μm激光辐照PC型HgCdTe红外探测器时,得到了不同辐照光功率密度下,探测器输出的一系列实验结果。给出了在波长为1.319μm的波段内激光辐照下PC型HgCdTe探测器的饱和阈值;用波长为10.6μm的波段外CO2激光辐照探测器时,发现了一些与波段内激光辐照探测器时大不相同的实验现象;对实验结果进行了分析。简要总结了PC型HgCdTe探测器对于波段内...
摘要:对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进行了诊断。
摘要:对3.8μm激光破坏三元PC型HgCdTe探测器系统的实验结果进行定性分析。实验结果表明:当辐照在探测器系统上的激光功率密度达411W/cm2时,系统内各部件(Ge窗口、滤光片及探测器)已严重损坏,探测器系统永久失效。分析认为:实验中引起探测器系统破坏的主要原因是温度升高引起的烧蚀热。
摘要:通过用1.06μm连续波YAG激光对PC型HgCdTe探测器的辐照实验研究, 给出了激光对单元和多元PC型HgCdTe探测器的不同部位辐照的破坏阈值。对工作电流对破坏阈值的影响进行了一定的分析。对测量结果进行了讨论。
专著信息 书名 HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究 语种 中文 撰写或编译 作者 陆卫,蔡炜颖,李志锋,陈效双,胡晓宁,何力,沈学础,陈贵宾 第一作者单位 出版社 物理学报,53,912(2004) 出版地 出版日期 2004年 月 日 标准书号 介质类型 页数 字数 开本 相关项目 HgCdTe的材料芯片方法研究

中国研究生教育排行榜-

正在加载...

中国学术期刊排行榜-

正在加载...

世界大学科研机构排行榜-

正在加载...

中国大学排行榜-

正在加载...

人 物-

正在加载...

课 件-

正在加载...

视听资料-

正在加载...

研招资料 -

正在加载...

知识要闻-

正在加载...

国际动态-

正在加载...

会议中心-

正在加载...

学术指南-

正在加载...

学术站点-

正在加载...