搜索结果: 1-13 共查到“光学工程 ZnS”相关记录13条 . 查询时间(0.06 秒)
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化，并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二极管器件，并进行了SEM、C-V和I-V表征分析，研究了HgCdTe/钝化层之间的界面特性及其对器件性能的影响。结果表明，钝化工艺改进后所生长的CdTe薄膜更为致密且无大的孔洞，CdTe/HgCdTe界面晶格结构有序度获得改善；采用改进的钝化工艺制备的MIS器件...
组分对Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点发光性能的影响
量子点 Cu-Zn-In-S/ZnS 热注入法 荧光性质 组分
2015/11/10
利用热注射法通过调控Cu/Zn比例制备了不同组分的Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点,通过紫外-可见吸收光谱以及稳态和时间分辨光谱分析Cu/Zn比例对量子点发光性能的影响.结果表明,不同组分Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点呈现闪锌矿结构且晶粒尺寸接近;随着Cu/Zn比例的减小,Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点的带隙变宽,导致吸收光谱发生蓝移;当Cu/Zn比例从6/1减小到1/6时,...
理论计算了带有极化子效应的ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点简并四波混频的三阶极化率.在有效质量近似下,采用无限深势阱模型,导出了带有极化子效应的柱型量子点的三阶非线性光学极化率的解析表达式,解三维薛定谔方程得到电子的本征能量和波函数.分析了电子-LO声子和电子-IO声子相互作用对ZnS/CdSe核壳结构量子点简并四波混频的三阶极化率的影响.结果表明,当量子点尺寸一定时,带有极化子效应的χDFWM...
不同激光脉冲作用下ZnS晶体非线性光学特性
ZnS晶体 非线性吸收 非线性折射
2014/9/5
用Z-scan技术在532 nm的皮秒激光脉冲和800 nm飞秒激光脉冲作用下分别研究了ZnS晶体的非线性吸收及非线性折射特性。实验结果表明,ZnS晶体在532 nm的皮秒激光脉冲作用下非线性吸收为双光子吸收,其非线性吸收系数为5.3×10-11 m/W,在800 nm的飞秒激光脉冲作用下非线性吸收为三光子吸收,非线性吸收系数为0.59×10-21 m2/W2;在532 nm皮秒激光脉冲作用下,Z...
基于CdSe/ZnS量子点薄膜结构的高双折射光子晶体光纤的色散与损耗控制
光子晶体光纤 CdSe/ZnS量子点 薄膜 双折射 色散 损耗 控制
2014/8/27
基于有限元法,设计了一种六边形排列含CdSe/ZnS量子点薄膜结构的高双折射光子晶体光纤,分析了具有不同厚度CdSe/ZnS量子点薄膜光子晶体光纤的色散及损耗特性.结果表明,含CdSe/ZnS量子点薄膜结构的光子晶体光纤在x和y方向均存在基模.当泵浦光波长逐渐增加时,具有相同厚度CdSe/ZnS量子点薄膜光子晶体光纤的双折射值逐渐增大,x和y方向总色散先增大后减小且存在两个零色散点,损耗逐渐增大并...
在建模和理论分析的基础上, 对三脉冲飞秒激光作用下核壳结构CdSe/ZnS量子点量子阱中1se1sh激子光跃迁引起的受激光子回波效应进行了深入研究.运用有效质量近似方法求解了载流子的静态薛定谔方程,得到能量本征值和对应波函数.基于光学Bloch方程,分析了受激光子回波的参量相关性.结果显示受激光子回波信号可以通过量子点量子阱结构和尺寸的改变进行有效调节.同时,在量子尺寸限制理论的基础上讨论了结构和...
ZnSe / ZnS Quantum-Dot Semiconductor Optical Amplifiers
Linear Absorption Coefficient Linear Emission Coefficient Rate Equations (Res) Noise Figure
2011/6/29
ZnSe quantum dot (QD) semiconductor optical amplifier (SOA) is studied theoretically using net gain for linear Absorption coefficient and linear emission and these results are used to calculate noise ...
制备了一种以紫外（UV）固化胶为纤芯本底的CdSe/ZnS量子点掺杂光纤.通过测量不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱,得到了荧光峰值强度与量子点掺杂光纤浓度和长度的关系,确定了UV胶纤芯本底下的量子点的吸收系数、合适的掺杂浓度和光纤长度.结果表明|UV胶在光纤中具有吸收小、收缩率低、与石英光纤包层折射率匹配、性能稳定等特点,是一种比较理想的实验室制备量子点光纤纤芯本底的材料.
水热合成ZnS∶Cu, Al纳米晶体及其全色发射光谱特性
ZnS∶Cu, Al 纳米晶 水热法 白光粉
2010/1/16
报道了水热法(200 ℃)直接合成的ZnS∶Cu,Al纳米晶及其发光特性。ZnS∶Cu,Al纳米晶粒径约15 nm，尺寸分布窄，分散性好，具有纯立方相的类球形结构。借助X射线能谱法(EDX)和原子吸收光谱仪，研究了样品中S, Zn和Cu的含量并详细研究了光致发光(PL)光谱的特性。结果证明存在大量Zn空缺，Cu离子经过水热处理后已掺入到ZnS基体中。PL光谱特性为：样品的激发谱为宽带谱，337 n...
制备了一种半导体量子点CdSe/ZnS低浓度掺杂的光纤,测量了不同掺杂浓度和不同光纤长度下光纤出射端的光致荧光光谱,分析了掺杂光纤长度和浓度对量子点光纤荧光光谱特性的影响.结果表明,与掺入光纤前相比,光纤中的量子点荧光发射峰值波长出现红移.在掺杂光纤长度为1~20 cm和掺杂浓度为(0.33~2.5)×10－2mg/mL的实验范围内,红移量随着掺杂光纤长度的增加和掺杂浓度的提高而增大.对给定的激励...
在水相中制备了半导体CdTe纳米晶，核壳型CdTe/CdS和CdTe/ZnS纳米晶（即量子点;QDs）.利用扫描隧道显微镜（STM）和荧光光谱(FS)对合成的纳米晶量子点进行了研究，并且根据FS的数据进行了量子效率的计算.STM的结果表明合成的量子点直径约为3 nm并且分布良好.为了提高量子效率，对Cd2+浓度和Cd2+∶S2－比例等反应条件进行了研究，结果表明随着回流时间的增加，核壳型量子点...
溅射条件对ZnS薄膜的光学常量和微结构的影响
射频溅射 ZnS 光学常量
2009/8/13
为了研究制备条件对射频溅射ZnS薄膜光学常量和微结构的影响，在浮法玻璃上制备了不同溅射气压、溅射功率和溅射温度的ZnS薄膜，利用紫外可见近红外分光光度计在300～2 500 nm的波长范围内测量了薄膜的透射和反射光谱，并通过光谱拟和计算出ZnS薄膜的光学常量以及禁带宽度.通过X射线衍射分析了薄膜的微结构随溅射温度的改变.研究结果表明，随着制备条件的不同，ZnS薄膜的光学常量和微结构会发生变化.
Influence of the second shell layer (TOPO, HDA) on the optical properties of CdSe/ZnS nanocrystal powder
nanocrystals photoluminescence
2007/4/4
CdSe/ZnS nanocrystal powder covered with an additional cap layer (II-shell) of hexadecylamine (HDA) or tri-n-octylphosphine oxide (TOPO) has been investigated by using photoluminescence (PL) and total...