搜索结果: 1-6 共查到“光学工程 InGaAs/InP”相关记录6条 . 查询时间(0.061 秒)
用于光子计数的InGaAs/InP SPAD设计
InGaAs/InP 单光子雪崩二极管 雪崩宽度 工作温度 电场分布
2014/7/10
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法.分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法.设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验.结果表明:对于Φ200μm...
Doped cap layer effect on impurity-free vacancy enhanced disordering in InGaAs/InP quantum well structures
point defects interdiffusion built-in electric field
2009/6/22
Strong influence on impurity-free vacancy enhanced disordering by the cap layer doping is studied
on the InGaAs/InP quantum well structure with a doped cap layer. The observations are consistent
wit...
本研究对于1.55μm光通讯——InGaAsP/InP多量子阱材料，采用新的互扩方法，带隙改变224meV的最大移动量。它的创新之处在于采用含磷组份新的电介质膜SiOP，替代国际上传统的电介质膜（SiO_2，Si_3N_4）获得了突破的数据达到了目前国际上有关此项目研究的最高数据（据文献报导美、德、英、加、日等国为10～150meV）。本成果同时也为光集成组件和超大规模集成电路找到了新的低介电常数...
摘要:采用激光微细加工技术来制作单片集成光接收机的探测器，在制作过程中，用固态杂质源10.6 μm激光诱导Zn扩散工艺来进行探测器的p-区掺杂。制作出平面型顶部入射的InGaAs/InP PIN 光探测器，响应度为0.21 A/W。分析了激光诱导扩散中影响探测器性能的因素，因此提出了扩散温度自动控制、扩散区温度分布均匀化及激光焦斑与扩散区精确对准等相应的改进方法。
Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy
InGaAs deep centers deep level transient spectroscopy (DLTS)
2005/3/27
The deep level transient spectroscopy (DLTS) method was applied to study deep centers in lattice mismatched InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy. The composition and the strain state of t...