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背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计
高量子效率 AlGaN 日盲紫外探测器
2013/4/4
高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设...
结合AlGaN和PVDF的新型日盲紫外探测器的研究
AlGaN 日盲探测器 PVDF 热释电效应
2013/3/3
制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly（vinylidene fluoride）（PVDF）热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照射至器件上时，测量PVDF两端的热释电响应光谱，测得峰值响应在入射光波长为260 nm处，响应电压高达129.6 mV（此时辐射功率为39.8 nW）。器件响应机理为：紫外光被i-Al0.35Ga0.65层吸收，产生光生载流子并复合生热，热...
283 nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器
紫外探测器 AlGaN 日盲 量子效率
2012/9/1
实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的AlGaN基p-i-n结构材料，通过对工艺流程的优化设计，制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器，获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%，n区Al组分为65%。探测器为直径500 μm的圆形，光谱响应起止波长为260~310 nm，峰值响应波长283 nm。零偏压下，暗电流密度为2.7×10-10 ...
GaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究
透射光谱 光散射 消光系数
2009/10/15
利用透射光谱矩阵光学原理，对三种GaN或AlGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上，添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量，拟合曲线与实验曲线达到了准确的吻合.结果表明：外延薄膜透射光谱的拟合可以准确提取出材料的消光系数、表面状况、散射情况、折射率及厚度，从而对样品质量作出详细的分析.
Effect of annealing temperature on the morphology of ohmic contact Ti/Al/Ni/Au to n-AlGaN/GaN heterostructures
ohmic contacts heterostructure AlGaN/GaN heterostructure
2009/4/10
Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures which have low contact resistance and good surface morphology are required for the development of high temperature, high power and high frequency electron...
高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器
日光盲 高温AlN模板 背照式探测器 p-i-n
2008/10/14
第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性. 利用MOCVD方法在（0001）面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料. 在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分（0.7) AlGaN多层外延结构. 利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量. 在1.8V的反...
Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AlGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers
gallium nitride HEMT
2007/4/4
AlGaN/GaN heterostructures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers were characterized electrically by capacitance-voltage measurements and chemically by Auger microscopy chemical in-depth pro...