搜索结果: 1-13 共查到“光学工程 APD”相关记录13条 . 查询时间(0.052 秒)
衰减片提高多脉冲Gm-APD激光雷达的探测性能
Gm-APD激光雷达 多脉冲探测 衰减片 探测性能
2016/1/21
从Gm-APD的泊松统计的雪崩探测模型出发，在长死时间情况下，提出了一种提高Gm-APD激光雷达探测性能的方法。利用衰减片控制信号和噪声的强度，实现了多脉冲探测Gm-APD激光雷达的探测概率、虚警概率和测距误差的提高。研究结果表明：随着衰减片透过率的变化，探测概率存在最大值，测距误差存在最小值，将衰减片透过率控制在0.33~0.20之间，探测距离为1.5 km时，探测概率能提高1倍，测距误差可以从...
星载激光测距仪APD最佳雪崩增益控制技术研究
星载激光测距仪 APD 温度补偿 增益控制
2015/9/10
针对激光测距仪星载应用环境的特殊性,研究了星载激光测距仪APD最佳增益控制技术。通过引入星载激光测距仪APD电流信噪比模型,分析了影响星载激光测距仪APD信噪比的关键因素。针对某星载激光测距仪的具体应用,展开了APD最佳增益控制技术研究,设计了温度增益反馈控制电路,并推导建立了温度增益数字反馈控制算法,实验验证了控制电路及算法的正确性和良好的温度适应性。实验结果表明,该控制电路和算法能够使得APD...
基于APD-PIN结电容平衡电路的门控单光子探测器
单光子探测 低通滤波器 雪崩光电二极管
2015/3/16
以APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路(GPQC)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)为核心研制了可工作在宽门控频率范围下的近红外单光子探测器。门控信号为200 MHz以下任意重复频率的尖脉冲,门宽约1 ns,脉冲幅度约10 Vpp。采用与APD结电容特性相近的PIN高频二极管研发了APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路,可有效地抑制门控微分噪声中的低频分量,抑制比大于40 dB。采用一组...
四Gm-APD探测器提高激光雷达探测性能的研究
Gm-APD激光雷达 光子计数 探测概率 虚警概率 测距精度
2015/1/15
提出了一种四Gm-APD单次探测的激光雷达系统,该系统采用2×2的光纤阵列同时接收回波脉冲,利用四通道实时比对得到目标的距离信息。计算了该系统探测概率、虚警概率和测距精度,并与传统单Gm-APD四次累积探测激光雷达系统进行相互比较。结果表明,四Gm-APD激光雷达系统不仅能够使探测速度提高到4倍,其探测性能也都明显优于单Gm-APD四次累积探测的激光雷达。探测概率从60.6%提高到了91.6%,虚...
盖革模式工作的雪崩光电二极管,以其灵敏度高著称,广泛应用于天文观测、粒子物理学、激光雷达以及通信领域.但是由于雪崩光电二极管易受到噪音的影响,特别是在背景光较亮的白天,背景噪音对探测有很大影响.本文针对白天大气背景噪音的情况,建立了盖革模式雪崩光电二极管的探测统计模型,通过设定不同探测器阈值和噪音值进行仿真计算,分析了探测阈值与噪音对虚警率的影响,给出了提高最远探测距离的途经与方法.通过限制滤光片...
Ge/Si SACM-APD器件分析
Ge/Si 雪崩二极管 吸收区 电荷区 倍增区分离 器件仿真
2014/8/11
Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点.对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证.实验结果表明：在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7 V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750~1 5...
从研究APD光电检测接收机被检测光场的量子统计模型出发,构造了一种适用于强度调制/直接检测的自由空间光通信系统中LDPC译码的精确实现方法.该方法在APD接收机输出统计模型(Webb-Gaussian模型)的基础上,推导了M-PPM的LDPC译码算法中初始似然比值的精确计算方法,并给出了详细的译码过程.理论分析和仿真结果表明,与目前普遍采用的APD近似非对称Gaussian统计模型下的译码性能相比...
室内可见光通信APD探测电路的设计与实现
可见光通信 雪崩光电二极管 温度控制
2014/6/10
室内可见光无线通信技术是随着白光LED 照明技术的发展而兴起的无线光通信技术。在分析目前的可见光通信技术基础上,针对室内可见光通信系统的应用需求,设计了雪崩光电二极管(APD)探测电路组件。首先阐述了APD 探测电路的工作原理,其次详细设计并分析了系统各组成部分的电路结构及其功能,最后对所设计的用于室内可见光通信接收子系统的探测组件进行了相关实验测试。实验结果表明:设计有效可行,APD 探测电路具...
一种高带宽NP型CMOS APD的研究
雪崩光电二极管 CMOS APD 带宽
2014/6/8
提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上,增加一个N型深掩埋层,并在该掩埋层单独加上电压,以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数,通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明:采用标准0.18 μm CMOS工艺,所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20 μm×20 μm,在反向偏压为16.3 V时,器件的雪崩...
基于四象限APD的相位法测距系统实现跟踪可行性分析
相位式测距系统 跟踪 四象限APD FFT
2014/6/5
现有的相位法测距系统均是用来测量距离的,并没有提供方位角和俯仰角相关信息以实现对目标的自动跟踪,从而使得相位法的应用受到限制。针对上述现象,在不考虑回波光斑非均匀性和噪声的条件下,提出了基于接收器为四象限APD的相位法激光测距系统实现跟踪的想法,并通过理论分析和仿真实验证明,通过对四象限的四路信号进行FFT提取幅值信息,可以计算得到方位角和俯仰角,从理论上使得相位法测距系统可以在不需要其他设备辅助...
HgCdTe e-APD 工作于线性模式，通过内雪崩倍增效应将一个微弱的信号放大多个数量级。介绍了一个具有列共用ADC 制冷型(77 K)数字化混成式HgCdTe e-APD FPA 读出电路，可以应用于门控3D-LARDAR 成像，有主被动双模式成像功能。Sigma-delta 转换器比较适合于中规模128×128 焦平面列共用ADC。调制器采用2-1 MASH 单比特结构，开关电容电路实现，数...
硅基APD器件的工艺及性能仿真分析
硅基雪崩二极管(Si-APD) 二维工艺仿真 器件仿真
2013/5/12
硅基APD 的性能取决于其器件结构与工艺过程。文中对n+-p-π-p+外延结构的APD 器件的工艺和器件性能进行了仿真分析，为硅基APD 器件的设计提供了理论指导。利用Silvaco 软件对APD器件的关键工艺离子注入和扩散工艺进行了仿真， 确定工艺参数对杂质的掺杂深度和掺杂分布的影响。并且，对于APD 器件的性能进行了分析，对电场分布、增益、量子效率、响应度等参数进行了仿真分析。仿真结果表明：在...