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研究人员成功掺杂一维铜链（图）
掺杂 一维铜酸盐材料 超导性
2021/9/13
由美国能源部斯坦福国家加速器实验室、斯坦福大学和克莱姆森大学等机构研究人员合成了第一种可以掺杂的一维铜酸盐材料。他们对掺杂材料的分析表明，关于铜酸盐如何实现超导性的最著名的模型缺少一个关键成分：在材料的原子结构或晶格中相邻电子之间意想不到的强大吸引力。他们说，这种吸引力可能是与自然晶格振动相互作用的结果。
湖南大学材料学院博士生胡特等人在铜镍硅合金的研究中取得一流成果
博士生胡特 铜镍硅合金 一流成果
2012/11/24
近日，湖南大学材料学院博士生胡特等人撰写的论文 《The Crystallographic and morphological evolution of the strengthening precipitates in Cu-Ni-Si alloys》被材料领域国际权威期刊《Acta Materialia》正式录用发表（http://dx.doi.org/10.1016/j.actamat.20...
铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展: 生长行为与控制制备
石墨烯 控制生长 化学气相沉积铜基体
2011/12/27
以铜作为基体的化学气相沉积法(CVD)是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法, 具有产物质量高、层数均一等优点, 已成为制备大面积、单层石墨烯的主要方法. 本文围绕铜表面CVD控制生长石墨烯, 结合对石墨烯的结构和生长行为的初步认识, 介绍了质量提高、层数控制以及无转移生长等控制制备方面的最新研究进展, 并展望了该方法制备石墨烯的可能发展方向, 包括大尺寸石墨烯单晶以及不同堆垛方式的双层石墨烯的控制...
对铜阳极泥预处理富集金银进行研究。先经硫酸预浸脱铜，当反应温度为353 K，H2SO4与Cu的物质的量比n(H2SO4):n(Cu)为1.5，液固比为3׃1，反应时间为1.5 h时，铜浸出率达到90%；脱铜阳极泥再与碳酸钠进行球磨转化后硝酸浸出脱铅；当球磨时间为3 h，Na2CO3与Pb的物质的量比即n(Na2CO3)׃n(Pb)为2.5，液固比为2׃1，球料比...
空心阴极辉光放电包覆铜纳米粉末
纳米粉末 自悬浮定向流方法 空心阴极辉光放电
2009/2/16
简要叙述了自悬浮定向流方法制备铜纳米粉末的原理和包覆层薄膜的生长机理，采用空心阴极辉光放电对铜纳米粉末进行有机包覆，实验中CH4和H2的流量分别为6 ml/min和12 ml/min，工作电压为450 V，衬底与空心阴极的底端距离为2 cm，背景真空和工作气压分别为6 Pa和100 Pa，沉积速率为7.5 nm/min。用透射电镜(TEM)对铜纳米粉末进行了观察和分析，结果表明：铜纳米粉末呈球状，...
ULSI多层铜布线CMP纳米材料抛光剂及抛光技术的研究
CMP抛光剂 化学抛光机械 抛光研磨膏
2008/11/19
该抛光剂针对1990年以来国际上ULSI制备中对铜布线化学机械全局平面化（CMP）急待解决的问题，能有效控制铜离子沾污，具有高速率、低损伤、高选择性，高清洁等优点，在理论与工程技术上取得了创造性突破，获得具有工业规模应用前景的CMP抛光剂，其创新点如下：（1）首次提出用大分子具有环烷羟胺分子强络合加螯合且易溶解的CMP动力学过程和机理模型。（2）选用无污染粒径约20nm，浓度在40％wt以上水溶胶...
采用硫酸和盐酸的混合酸在有氧化剂存在的常压条件下对磨细后的铜钴合金进行浸出。试验结果表明：在溶液初始酸度为5.0~6.5 mol/L，硫酸与盐酸摩尔比较低，酸过量系数φH为1.2，氧化剂加入量ψn为理论量的1.2倍，反应温度为80 ℃，反应时间为70 min，搅拌速度为200~300 r/min的条件下，铜钴浸出率均能达到97%以上，浸出过程中不会有硅胶产生，过滤性能良好，实验重现性好。
低硫高硅低品位铜钴混合精矿的处理
铜 钴 镍
2008/6/30
遵循经济可行、技术成熟的原则对某低硫高硅低品位复杂铜钴精矿处理方案的选择进行论述；采用硫酸化焙烧—硫酸浸出铜、钴、镍、锌—萃取分离铜—碳酸钙中和除铁—P204萃取除锌—中和沉淀富集钴、镍—钴、镍渣酸浸—氟化铵除钙镁—P204萃取除杂—Cyanex272萃取分离镍、钴的工艺方案，预期可以较好地解决该铜钴矿床的经济开发问题。
碳纳米管可能代替铜制散热片
碳纳米管 散热片 芯片 薄膜
2007/3/30
美国Rensselaer理工学院和芬兰Oulu大学的研究人员2007年3月29日宣布，他们使用碳纳米管制造的散热片，给以后的芯片散热创造了一个新方向。
研究SP-C硅胶-聚合胺树脂在模拟低品位铜矿硫酸浸出液中富集纯化铜的工艺，在Cu2+ 1~2 g/L、Fe3+ 2~8 g/L范围内，考察该树脂吸附分离铜铁的性能。结果表明：该树脂对铜具有良好的选择性能，对铁的选择性能较差；湿树脂铜的穿漏交换容量及饱和交换容量分别为0.27和0.34 mol/L，解析高峰液Cu2+约30 g/L，铜铁分离系数达到397；最佳工艺条件为：料液pH 1.86，接触时间...
超临界流体干燥法(SCFD)制备纳米级铜粉
超临界流体干燥法 纳米铜粉 化学还原法 摩擦学性能
2004/5/25
采用均相溶液化学还原法与超临界流体干燥法相结合的组合技术，制备了高纯度、高分散性、高抗氧化性的立方晶系纳米级铜粉。通过考察反应体系pH值、反应物配比、无水硫酸铜浓度、反应温度、分散剂对反应速度及产物粒径的影响，得出最佳工艺条件是：pH值为2，无水硫酸铜与次亚磷酸钠的摩尔比为1∶1.3，无水硫酸铜浓度为0.2 mol/L，采用复合非离子型分散剂，反应温度为50 ℃，反应时间为2 h。经超临界流体干燥...
多晶铜膜纳米压入蠕变性能
纳米压入 蠕变 残余应力 应力指数
2004/3/29
在JGP560V磁控溅射镀膜设备上镀制多晶铜膜，利用纳米压入技术测量了其室温下的蠕变性能。 结果表明： 由于不同加载方式下， 材料加工硬化程度的不同造成了应力指数的差异， 因而， 不同加载方式对测得的铜膜蠕变应力指数有比较大的影响；由于材料在高载荷时在压头下端产生更多的位错， 阻碍了压头的压入， 使蠕变率降低， 因而， 随着保载载荷的升高， 蠕变应力指数变大。
碳纳米管因其优异的力学、物理性能， 是一种理想的复合材料增强体， 但其与基体金属的润湿性较差。 通过化学镀在碳纳米管表面镀上一层连续的铜镀层， 以改善碳纳米管与金属基体的润湿性， 增强界面结合力。通过TEM观察表明： 由于碳纳米管长径比大，反应活性低， 表面曲率大， 直径细和镀层薄（50~100nm），使碳纳米管很难得到完整的镀层。 通过对镀前处理工艺（氧化、 敏化、 活化）的优化以增加活化点， ...
大功率真空开关铜铬触头材料
铜合金 触头材料 制备工艺 电性能
2001/6/1
综述了大功率真空开关铜铬触头材料最近的进展。主要内容包括：铜铬合金的发明及技术上的优点，铜铬合金二元相图上的特点及常规铸造工艺上的困难；铜铬合金的主要制备工艺包括粉末烧结法、粉末烧结熔渗法以及自耗电极法等，铜铬合金中杂质的影响，包括残余气体的影响、残余碳的影响及第三组元的影响等。对铜铬合金及其材料的显微组织对真空电触头的基本电性能(分断电流能力，抗电弧烧蚀能力，截断电流等)的影响进行了简要的概述，...