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BN含量对多孔BN/Si3N4陶瓷结构和性能的影响 BN/Si3N4 多孔陶瓷气孔率介电常数抗弯强度 2013/2/15

以氮化硅(Si3N4)为基体, 氮化硼(BN)为添加剂, 叔丁醇为溶剂, 采用凝胶注模成型与无压烧结工艺(温度为1750 ℃、保温时间为1.5 h、流动N2气氛), 成功制备出具有一定强度和低介电常数的多孔BN/Si3N4陶瓷。在浆料中初始固相含量固定为15%体积分数的基础上, 研究了BN含量对多孔Si3N4陶瓷材料的气孔率、物相组成及显微结构的影响, 分析了抗弯强度、介电常数与结构之间的关系。结...