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TGS热释电晶体生长工艺研究 TGS 晶体生长热释电 2009/9/30

目前对TGS晶体进行改性研究是克服其自身弱点的途径,而生长均匀、无缺陷的TGS单晶是该研究工作的基础.利用水溶法生长了纯TGS单晶体,系统地论述了晶体生长的装置和工艺过程.分析了晶体生长过程中出现各种缺陷的原因.测定了晶体的热释电性能的主要参数.结果表明此方法生长的晶体达到工业应用的技术要求.从而指出生长均匀、无缺陷TGS单晶体工艺过程中的各个影响因素和应注意的事项,为该晶体改性工作的继续开展提供...