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GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征
氮化镓薄膜 溶胶-凝胶 六角纤锌矿结构
2009/8/14
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于Si(111) 衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.X射线衍射(XRD)分析及选区衍射分析(SAED)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构GaN薄膜;XPS分析其表面,结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在,且Ga:N约为1:1;PL谱分析结果表明所制备的薄膜具有优良的发光性能.
在硅衬底外延生长GaN材料(中科院)
GaN 外延
2008/12/5
Si衬底上生长GaN将主要采用低温AlW作缓冲层,用横向生长技术,AlGaN/GaN超晶格,多次成核的方法来减小GaN层应力和缺陷,发来新的减少应力和缺陷的方法,研究低维结构的生长技术,用X射线衍射,透视电子显微镜,Raman谱,AFM研究其微结构,用变温光荧光、光发射谱、变温Hall,光荧光瞬态谱的方法研究物性。采用制成原型器件的方法研究微结构对器件参数的影响。