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以MgO为助剂-βSi3N4晶种的制备与表征
Si3N4 晶种 MgO
2008/3/12
在自增韧陶瓷的致密化过程中,添加-βSi3N4晶种有利于长柱状晶的形成与生长,可以改善陶瓷的强度和韧性;以MgO为添加剂,通过对原始Si3N4粉进行热处理,制备出转相充分、具有柱状形貌β-Si3N4晶种。重点研究了MgO对氮化硅相变和晶种形貌的影响。实验结果表明在MgO添加量在1.5wt%和2wt%时,在1750℃下热处理2小时能得到β相含量95%以上和具有大长径比的-βSi3N4晶种。
采用Ti/Cu/Ni中间层对Si3N4陶瓷进行二次PTLP连接,研究Ti箔厚度、连接工艺参数对Si3N4/Ti/Cu/Ni连接强度和界面结构的影响。结果表明:Ti箔厚度对连接强度的影响是通过对反应层厚度的影响体现的;在本文试验条件下,改变二次连接工艺参数对Si3N4/Ti/Cu/Ni二次PTLP连接界面反应层厚度无明显影响,其对室温强度的影响是由于连接接头残余应力的变化所导致的;Si3N4/Ti/...
对晶须添加的方向角效应进行了研究，对裂纹尖端后方晶须桥连角度引起的应力重新分配进行了有限元分析，得到晶须添加角度不同时Si3N4陶瓷材料的裂纹尖端和晶须附近区域的应力应变场。分析表明，试件在Ⅰ型加载受力状态下，当添加晶须的轴向垂直于裂纹面时，晶须在裂纹尖端后方的桥接所引起的能量耗散作用最大，添加效果最优，使材料达到较好的增韧效果。当添加晶须与裂纹面法向形成角度θ时，随角度θ的增加，裂纹尖端拉应力增...
压力钎焊改善Si3N4/40Cr钢接头强度的试验研究
Si3N4/40Cr钢 压力钎焊 残余应力 缓冲层
1998/7/2
分析了Si3N4/40Cr钢钎焊接头缓冲层机制。利用压力钎焊促进缓冲层产生塑性变形，降低了接头的残余应力，提高了接头强度。软性缓冲层Cu和Nb易于产生较大的塑性变形，接头强度有明显提高；硬性缓冲层Ta不易产生塑性变形，接头强度无明显提高 。缓冲层塑性变形愈大，接头强度愈高。使用Cu作缓冲层材料，当外加压力为27 MPa时，接头拉伸强度可达62.3MPa。EPMA结果表明，在加压和无压状态下 ，接头...