搜索结果: 1-15 共查到“材料科学 GaN”相关记录19条 . 查询时间(0.082 秒)
氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料的典型代表，因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强以及耐化学腐蚀等优点，在下一代电子和光电器件领域具有极强的竞争优势和应用前景。目前，在高频高功率电子器件和高灵敏度光电探测器方面已有广泛应用，然而高性能器件功能的实现需要GaN材料兼具低位错密度和半绝缘特征，但在GaN的生长过程中，蓝宝石衬底中大量氧元素向上扩散现象的存在，导致...
随着能效标准不断提高，基于硅（Si）材料的功率器件改进空间越来越小；人们将目光投向新材料领域，以期实现根本改进，从而引发新一代功率器件技术的革命性突破。众多新材料中，基于氮化镓（GaN）的复合材料最引人关注。GaN基功率器件具有击穿电压高、电流密度大、开关速度快、工作温度高等优点，性能远优于Si基器件；采用GaN基功率开关器件的电子系统效率可改善3.5%至7%，体积可减小35%，兼具高性能和高可靠...
Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
GaN Si衬底 位错 TEM
2011/12/8
本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明：Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系；材料在MQW附近的穿透位错密度达108cm-2量级，且多数为刃型位错；样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错，本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进...
GaN基SiTrO3薄膜的生长偏转模型和模拟研究
材料表面与界面 偏转模型 密度泛函理论 STO/GaN磁电薄膜
2010/8/15
构建了SrTiO3(STO)薄膜在GaN基底(0001)表面沿不同方向偏转10o、20o、30o、40o和50o具有不同界面结构的生长模型, 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法对GaN(0001)表面外延生长不同方向的STO进行了总能量模拟计算。结果表明, 在晶格失配小的理想外延方向即[1--10]SrTiO3//[10--10]GaN的能量最高, 结构不稳定; 而随着STO[1--10]沿G...
GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征
氮化镓薄膜 溶胶-凝胶 六角纤锌矿结构
2009/8/14
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶，再甩胶于Si(111) 衬底上，在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.X射线衍射（XRD）分析及选区衍射分析（SAED）表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构GaN薄膜；XPS分析其表面，结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在，且Ga：N约为1：1；PL谱分析结果表明所制备的薄膜具有优良的发光性能.
GaN薄膜大型V形表面坑的形成和光学性质
无机非金属材料 半导体材料 缺陷
2009/6/4
研究了用MOCVD设备在高温和低V/III条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型V形表面坑, 并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错. GaN内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作用.
Si基外延GaN的结构和力学性能
Si基 GaN 力学性能
2009/3/11
采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是ON与VGa所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延...
在硅衬底外延生长GaN材料（中科院）
GaN 外延
2008/12/5
Si衬底上生长GaN将主要采用低温AlW作缓冲层，用横向生长技术，AlGaN/GaN超晶格，多次成核的方法来减小GaN层应力和缺陷，发来新的减少应力和缺陷的方法，研究低维结构的生长技术，用X射线衍射，透视电子显微镜，Raman谱，AFM研究其微结构，用变温光荧光、光发射谱、变温Hall，光荧光瞬态谱的方法研究物性。采用制成原型器件的方法研究微结构对器件参数的影响。
一种检测GaN基材料局域光学厚度均匀性的方法
均匀性光学厚度 GaN基材料
2008/11/24
该方法是检测GaN基材料局域光学厚度均匀性的方法。采用显微荧光光谱测量，将测得数据进行处理获得振荡干涉谱，再对干涉谱进行干涉峰位线性拟合，进而得到材料的光学厚度，然后用常规的统计方法就可直接得到厚度不均匀性的分布特征。该方法可为材料生长工艺优化研究提供丰富的信息，特别对严重损害器件质量的局域非均匀性检测方面具有明显的意义。
GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备
光电材料 GaN半导体
2008/11/24
GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备是LED外延片生产的必备设备，作为生产、销售的主要依据，因为其无损检测的速度快，成本低，结果直观，可以在外延片出炉后马上检测，成为下一炉工艺参数调整的依据。检测的结果也是销售数据。该成果的光致发光采用400nm半导体激光器，比国外采用的气体激光器，具有成本低、易操作、光强稳定、寿命长、能耗低等特点；光致发光可以给出积分光强、峰值波长、光谱半宽、...
高温AlN模板上p型GaN的生长研究
高温AlN 渐变δ掺杂 均匀掺杂 金属有机物化学气相沉积 p型GaN
2008/10/14
利用低压金属有机物化学气相沉积技术，采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法，分别在氮化镓（GaN）和高温氮化铝（HT-AlN）模板上，生长了p型GaN外延材料. 生长后，双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明：HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能. 该p型GaN样品的（0002）面半峰宽值小至178" ，其空穴氧浓度为5.78e17cm-3. 在对Cp...
中国科学院半导体研究所在非极性GaN材料研究中取得进展
非极性GaN材料 ZnO缓冲层
2008/6/16
在国家863项目和中国科学院创新工程的支持下，中科院半导体研究所曾一平研究员带领的课题，采用自行研制的HVPE氮化物生长系统，通过在m面蓝宝石上磁控溅射生长薄层的ZnO缓冲层，进而外延生长获得了非极性GaN厚膜材料，该材料具有较低的位错密度，适合开发用于LED、LD等氮化物发光器件的衬底材料，同时对比实验表明，薄层的ZnO对于形成非极性GaN起到了至关重要的作用，没有ZnO缓冲层的m面蓝宝石上只能...
半导体所高性能GaN外延材料研究取得进展
半导体
2008/1/18
近日，由中国科学院半导体研究所承担的知识创新工程重要方向项目——“高性能氮化镓(GaN)外延材料研究”通过了专家鉴定。以氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料，是继半导体第一代硅材料和第二代砷化鎵材料之后，在近十年迅速发展起来的新型宽带隙半导体材料，是目前全球半导体研究的前沿热点和各国竞相占领的战略高技术制高点。2002年中国科学院瞄准国家重大战略需求和世界科技前沿，将“新型高頻大功率化合...
GaN场发射高分辨电子显微像的图像处理-显示GaN中原子分辨率晶体缺陷的可能性
GaN 晶体缺陷 高分辨电子显微学
2007/12/21
本文介绍了场发射高分辨电子显微像的图像处理原理,用300 kV场发射电子显微镜的参数模拟了GaN完整晶体和缺陷晶体结构模型的显微像.经过处理的显微像上能够分辨间距为0.112nm的Ga和N原子,并能显示N原子空位.