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以针刺整体毡为预制体制备C/SiC复合材料，在材料表面制备CVD SiC涂层，研究涂层试样氧化前、后的微观结构和室温弯曲性能。研究结果表明：CVD SiC涂层由球形颗粒熔聚体、裸露裂纹和附着裂纹组成，于1 400 ℃氧化时附着裂纹发生愈合；C/SiC试样的弯曲强度为119.9 MPa，涂层试样及其分别经1 000，1 200和1 400 ℃连续氧化5 h后，弯曲强度分别为188.5，41.0，60...
沉积温度对CVD SiC涂层显微结构的影响
2007/12/12
摘要 以MTS为先驱体原料, 在950～1300℃、负压条件下沉积了CVD SiC涂层. 利用SEM对涂 层的表面形貌和断口特征进行了表征. 沉积温度和SiC涂层表面形貌的关系如下: 950℃时, 沉积的SiC颗粒非常细小, 为独立的球形堆积; 1000～1100℃时, CVD SiC涂层表面光滑、致密; 1150～1300℃沉积的SiC涂层呈现出球状或瘤状结构且表面粗糙. 结合热力学和晶体形核-...
石墨表面CVD SiC涂层微观结构研究
化学气相沉积 SiC涂层
2007/7/2
研究CH3SiCl3-H2-Ar体系中在石墨表面化学气相沉积SiC涂层工艺,并对涂层形貌进行SEM分析。考察沉积温度、气体比例、气体流量以及稀释气体含量对化学气相沉积SiC涂层的显微结构的影响。结果表明,在温度1100℃,H2:MTS=5:3,气体流量8L/min,稀释气体1L/min时,制备的涂层致密光滑。其中涂层的形貌对温度最敏感,当沉积温度达到1100℃时,CVD SiC涂层表面致密且光滑。