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300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控，满足射频、存储等领域的应用需求。
300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布
300mm掺N直拉Si片 原生氧沉淀 径向分布
2008/10/29
采取从某一温度（600~1000℃）开始缓慢升温至高温（1150℃）并保温若干时间的方法，使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大，然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度. 通过这样的方法，定性地研究了300mm掺N直拉Si片的原生氧沉淀的径向分布. 研究表明：氧沉淀异常区域（称为P区）的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域（称...