搜索结果: 31-45 共查到“电子科学与技术 GaN”相关记录51条 . 查询时间(0.074 秒)
感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN
选择性刻蚀 选择比 刻蚀损伤
2009/5/27
采用Cl2/Ar作为刻蚀气体，研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小，随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10％的O2对GaN刻蚀速率影响不大，却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降，从而提高了GaN与Al0.27...
AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究
泄漏电流 阈值电压 接触电阻
2009/5/27
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直 流参数的变化．对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火 温度为500℃，退火时间为5min．该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8. 9%，肖特基栅反向漏电流减小2个数量级，阈值...
AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究
高电子迁移率晶体管 钝化 电流崩塌
2009/5/25
通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究．AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得．文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化，钝化后直流电流崩塌明显减少，仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获．传输线模型测量表明，钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度．
AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究
高电子迁移率晶体管 钝化 电流崩塌
2009/2/1
通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究．AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得．文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化，钝化后直流电流崩塌明显减少，仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获．传输线模型测量表明，钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度．
AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究
高电子迁移率晶体管 泄漏电流 阈值电压
2009/2/1
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直 流参数的变化．对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火 温度为500℃，退火时间为5min．该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8. 9%，肖特基栅反向漏电流减小2个数量级，阈值...
产品功能及应用领域：GaN半导体材料作为第三代半导体材料，主要用做蓝光发光二极管、蓝光激光器和革命性白光光源。广泛用于全彩显示，光通讯和光计算机、激光读取器等。技术特点：南昌大学作为国家863新材料GaN承担单位，利用自行研制的中国第一台立式GaN-MOVCD系统，在蓝宝石衬底上生长的外延片，具有非对称。与国内外同类产品比较：GaN半导体材料和兰光二极管是95年日本(日亚公司)最先产业化，世界上现...
用MOCVD技术生长GaN: Mg外延膜，在550 ~ 950℃温度范围内，对样品进行热退火，并进行室温Hall、光致发光谱（PL）测试.Hall测试结果表明，850℃退火后空穴浓度达到8e17cm-3以上,电阻率降到0.8Ω·cm以下. 室温PL谱有两个缺陷相关发光峰，位于2.8eV的蓝光峰（BL）以及3.27eV附近的紫外峰（UVL) .蓝光峰对紫外峰的相对强度（BL/UVL）在550℃退火后...
AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器
GaN 气体传感器 肖特基二极管 GaN gas sensor Schottky diode
2008/3/16
通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应. 研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2 (N2气中）的响应，计算了器件的灵敏度；并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢；空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用；最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.
MOCVD制备InxGa1－xN/GaN MQWs的温度依赖性
2007/8/20
利用方势阱模型对InxGa1－xN/GaN MQWs结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在MO源流量恒定条件下，在570℃～640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验，对InxGa1－xN制备过程中的In组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的PL谱测量分析，得到了587℃～600℃的In组份最佳掺入温度区间.
期刊信息
篇名
Effect of Electron-Phonon Interaction on Surface States in Zinc-Blende GaN, AlN, and InN under Pressure
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
闫祖威1,2,班士良2,梁希侠2
第一作者单位
1 内蒙古农业大学理学院；2 内蒙古大学理工学院
刊物名称
Eur. Phys. J. B ...
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程，导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时，GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%；若保持峰值电场恒定，则其漏端电压可由没有场板时的50 V提高到加场板后的225 V，增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合，为...
运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性, 计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法. 计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化, 变化趋势和实验结果吻合. 在包含两个Cr原子的体系中, Cr原子之间是铁磁性偶合, 每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近. 对于不同的掺杂浓度, Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合, Cr原子的3d电子与N原子的2...
Investigation on microstructure evolution of oxidized Ni/Au ohmic contacts to p-GaN by XRD
microstructure evolution Ni/Au p-GaN XRD
2004/3/21
The microstructure evolution of oxidized Ni (20nm)/Au (20nm) contact to p-GaN with increasing annealing temperature was studied by synchrotron x-ray diffraction (XRD) and powder XRD. With the increase...