搜索结果: 106-120 共查到“光学工程 芯片”相关记录146条 . 查询时间(0.149 秒)
用于AM-OLED显示屏控制的 MDDI数据处理芯片设计
MDDI AM-OLED 显示控制 CMOS
2011/12/20
介绍了一种应用于AM-OLED显示屏的MDDI数据处理芯片。在移动显示领域,MDDI(Mobile Display Digital Interface)因数据连接线少、功耗低、信号传输可靠性高、可有效降低噪声、降低硬件复杂度而得到越来越广泛的应用。所设计的芯片用于240 RGB×320的AM-OLED显示屏,支持RGB模式和26万色分辨率。控制显示器的屏幕刷新频率为40~60 Hz。可完全支持MD...
中国科学院物理所金属纳米线集成纳米光学芯片的原理研究取得新进展
纳米光学芯片 金属纳米线 光学器件
2011/11/17
金属纳米结构中的表面等离激元具有许多奇特的光学性质，如光场局域效应、透射增强、共振频率对周围环境敏感等，因而被广泛应用于纳米集成光学器件、癌症热疗、光学传感、增强光催化、太阳能电池以及表面增强拉曼光谱等。其中，利用表面等离激元设计与制作亚波长光学器件是一个崭新而迅速发展的研究方向。在一维金属纳米结构中，表面等离激元可以将光场限制在远小于光波长的横截面内，这一特性为光学芯片的高密度集成奠定了理论基础...
塑料光纤通信650 nm单片集成光接收芯片研究
光接收芯片 单片集成 光电探测器 塑料光纤通信
2011/8/20
设计了一种用于塑料光纤通信的650 nm单片集成光接收芯片,包括光电探测器、跨阻前置放大器、单双端转换、差分放大器、输出缓冲器及失调电压补偿电路.基于合理假设与近似,从稳态连续方程和边界条件出发,分析了探测器的光谱响应;采用拉普拉斯变换方法,分析其频率响应.采用0.5 μm BCD工艺流片,光接收芯片版图面积832×948 μm2进行测试,结果表明5V反向偏压下,探测器在650 nm的响应度为0....
Linux下基于I2C的电源管理芯片驱动设计
I2C 总线 Linux 电源管理芯片 驱动
2011/3/25
为了提高驱动运行效率，对Linux 下内部集成电路（inter-integrated circuit，I2C）设备的电源管理芯片 驱动进行设计。介绍I2C 总线时序以及Linux 内核中I2C 总线所特有的体系结构，在分析Linux 内核I2C 总线驱动 框架的基础上，结合具体的电源管理芯片AXP192，介绍了I2C 设备驱动的实现方法。结果证明，该设计能有效地 提高效率。
采用非对称Ｙ分支波导和多模干涉型耦合器级联的方案设计出了一种光纤到户用单纤三向复用器芯片．模拟光谱响应结果表明，三个波长输出光斑清晰，实现了１４ ９ ０ｎ ｍ和１５ ５ ０ｎ ｍ下行波长的下传和１３ １ ０ｎ ｍ 波长的上传.有限差分束传播法模拟结果表明：该器件插入损耗小于１．４９ｄＢ，三个响应波长的带宽满足ＩＴＵ．９８４规定的带宽要求；１３１０ｎ ｍ 上传信号隔离度达到４ ７ｄ Ｂ以上，１４９ｎ...
本文介绍了一种发光二极管（LED）芯片非接触在线检测系统。阐述了检测系统工作原理及检测系统构成。系统采用C8051F020单片机进行控制，利用LED p-n结的光生伏特效应，通过对光生伏特效应中产生的光生短路电流的测量，实现对LED芯片质量及芯片与引线支架电气连接状态的检测。通过对常用LED芯片测量的实验结果表明，该系统能快速有效的对封装过程中的LED芯片状态进行非接触检测。
LED芯片在线检测方法研究
LED芯片 在线检测 p-n结光生伏特效应 法拉第定律 磁芯
2010/4/12
对于封装过程中的LED芯片的检测目前还没有行之有效的方法，基于p-n结的光生伏特效应和法拉第定律，提出一种非接触式的针对LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间连接状态的检测方法。根据实际LED芯片所处的闭合短路状态，感应回路由绕在高磁导率条形磁芯上的多匝线圈构成。磁芯采用不同搭接方式以提高检测的信噪比，根据实验结果确定了磁芯的最佳搭接方式。实验结果表明，该方法具有较高的检测精度，可以实现对闭合短...
基于面阵CCD芯片KAI-1010M的TDI三线阵工作方式
KAI-1010M 行间转移 FDG 时间延时和积分三线阵
2009/11/30
介绍了行间转移面阵CCD芯片KAI-1010M的内部结构、工作时序和驱动系统,采用将存储区内相同像素在不同曝光时间的感应电荷叠加,实现了行间转移面阵CCD的时间延时和积分工作方式|采用Fast Dump Gate(FDG)功能快速清除电荷而只保留3行CCD信号以提高帧频,克服面阵帧周期长的缺点,实现三线阵工作方式,最终实现了三线阵的时间延时和积分成像工作方式.实验结果表明,此实现方式是可行的,最大...
上海研发出高附加值光芯片
上海 光芯片
2009/6/9
6月5日，记者在上海市科学院召开的第五届光电子产业与知识产权国际论坛上获悉，上海浦东张江高科技园区在光电子研究开发方面取得了重大突破，区内两家企业在光传输集成芯片等领域成功研制出两款具有完全自主知识产权的芯片产品，为光传输应用市场带来了革命性进步，并有望加速推动我国“三网合一”（广播电视、互联网和电信网）、光纤到户（FTTH）发展。
该项目已彻底解决了一直困扰其商品化的温度稳定性问题，已达到批量生产能力 ，从芯片端面的倾斜研磨抛光，到两个倾斜端面的耦合固定，优化了耦合结构使调整自由度降低到最低，做到材料的热膨胀系数匹配最佳化，设计了专用的工模具，保证达到要求的精度，降低了对操作者素质水平的要求，提高了生产效率，耦合出插入损耗典型值为4dB的器件，-40℃到+80℃的工作温度循环试验中插入损耗变化小于0.4Db。在国内LiNbO...
原子芯片上的玻色-爱因斯坦凝聚体在我国诞生
原子芯片 爱因斯坦 凝聚体
2008/12/2
2008年11月26日，由中科院上海光机所量子光学重点实验室王育竹院士领导的“973”冷原子系综量子信息存储技术-原子芯片研究小组实现了我国第一个原子芯片上的玻色-爱因斯坦凝聚体(BEC)。实现芯片BEC是“973”项目的主要指标，也是冷原子研究和量子信息存储技术研究的重大标志性进展。国际上已有多个国家拥有了芯片BEC，但在亚洲，我国是第二个实现芯片BEC的国家。目前，国内尚无实现芯片BEC的报道...
GPON用1310nm InGaAsP/InP BH宽温度范围激光器芯片
激光器 GPON 激光器芯片
2008/11/17
该项目使用InGaAsP/InP低特征温度材料代替AlGaInAs/InP高特征温度材料，采用特殊的多量子阱设计，达到了-40℃～+95℃宽温度范围内的技术性能指标。对PBH结构进行了优化设计，提高了器件的性能和可靠性。使用特殊的MOCVD二次外延技术实现了器件性能的优化。GPON用1310nm InGaAsP/InP BH激光器芯片是GPON突发式光模块和GPON光传输网络必须的核心部件，具有...
红外焦平面列阵探测器芯片的性能测试装置
测试装置 红外焦平面
2008/11/5
该实用新型涉及红外探测器的一种性能测试装置，特别是红外焦平面列阵探测器芯片的性能测试装置。在红外焦平面列阵探测器的制备过程中，列阵芯片的性能测试是必不可少的。该实用新型的目的为克服上述已有技术中存在的问题，将原来敞开式液氮致冷改为封闭式的液氮致冷，并能起到电磁屏蔽的作用：保证探针和像元的接触良好而不损坏电极：探针的移动用机械驱动，提高工作效率。该实用新型的解决方案是将芯片致冷部分、探针测量部分放入...
155M～1.25Gbps CMOS激光驱动器（芯片）
激光驱动器 CMOS工艺 光纤通信激光器
2008/11/3
UX2210由激光偏置电路、调制电路、自动功率控制（APC）、调制电流温度补偿等部分组成，可兼容3.3V/5V电源电压。该芯片提供了一个CMOS电平的激光失效指示，以及一个用于保护激光器的可编程慢启动电路。慢启动电路内部预设50ns启动时间，可以通过外接电容来延长这个时间。通过外部电阻的调节，UX2210的调制电流可达60mA，偏置电流可达80mA，上升下降时间小于250ps。其采用小型化封装——...