搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 计算机工程”相关记录19条 . 查询时间(2.095 秒)
浙江工商大学计算机科学与技术学院党委书记姜波教授再次当选中国计算机学会理事（图）
姜波 中国计算机学会 理事
2023/10/31
在2023年10月召开的中国计算学会（CCF）第十三届会员代表大会上，经差额选举，浙江工商大学计算机科学与技术学院党委书记姜波教授当选为理事。CCF是中国计算机及相关领域的学术团体，拥有10万多名会员，是国内计算机科学技术领域具有影响力的学术组织。CCF为本领域专业人士的学术和职业发展提供服务；推动学术进步和技术成果的应用；进行学术评价，引领学术方向；促进技术和产业应用一线的交流和互动；对在学术和...
中国科学院计算技术研究所研制出超导神经形态处理器原型芯片“苏轼”（图）
超导 神经形态 处理器 苏轼
2023/10/8
中国科学院计算技术研究所研究员尤海航和唐光明带领的研究团队，研制了超导神经形态处理器原型芯片“苏轼”（SUSHI）。“苏轼”是一款基于超导单磁通量子（SFQ）电路的超导计算芯片。超导SFQ电路同时具有超高计算速度和超低计算功耗的特点，有望突破传统计算在单位体积和单位能耗条件下提升算力困难的瓶颈。近年来，超导计算芯片成为新原理计算领域的研究热点之一。
氧化铪基铁电存储材料研究取得进展（图）
氧化铪基 铁电 存储材料
2023/8/22
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，导致器件工作电压与先...
中国科学院金属研究所揭示肖特基势垒调控自极化实现巨大铁电阻变开关比（图）
肖特基势垒 自极化 铁电阻 变开关比
2023/7/5
铁电忆阻器以电阻的形式存储信息，其电阻与铁电畴结构密切关联，并可通过电压在亚纳秒时间尺度上进行调控，写入功耗低，在下一代非易失性存储技术中具有独特优势。器件性能（包括开关比、读写速度、数据存储容量等）与铁电畴结构及其翻转动力学密切相关。前期研究主要关注铁电极化翻转过程对阻变行为的影响，鲜有关于铁电自极化（铁电薄膜自发形成的特定铁电畴结构）对铁电阻变性能的影响的研究。如何精准调控铁电自极化并揭示其与...
首次实现读写对称的自旋存内计算器件（图）
读写对称 自旋存内 计算器件
2022/12/9
基于电子自旋的磁随机存储器具有非易失性、超长耐久度、超快读写速度和超低功耗等优点，被视为是未来实现新型存储和计算的潜在技术之一。目前，磁随机存储器的构筑主要依赖于垂直磁各向异性的磁隧穿结单元。器件磁状态的写入依赖于自旋转移转矩或者外加磁场辅助的自旋轨道转矩，而器件磁状态的读取则需要利用隧穿磁电阻效应。这种不对称的读写方式以及外加磁场的辅助极大地限制了器件的功耗降低、级联与小型化。构筑新型的自旋电子...
中国科学院软件研究所提出处理器缓存数据预取新方法（图）
处理器 缓存数据 预取新方法
2022/11/14
近日，中国科学院软件研究所总体部研究团队在处理器缓存性能优化与结构设计方面取得进展。该研究提出一种基于合并相似访存模式的数据缓存预取方法，能够有效提升处理器整体性能。
西安电子科技大学国家大学科技园首批项目签约西咸新区，涉物联网等领域
西安电子科技大学国家大学科技园 西咸新区 物联网
2022/10/25
2022年9月21日，在西安电子科技大学国家大学科技园项目合作协议签约活动上，自主可控安全增强复印机项目等3个项目签约入驻西咸新区。其中自主可控安全增强复印机项目技术优势在于已攻关关键技术，包括基于通用嵌入式处理器及FPGA的复印机安全架构技术，复印机安全增强技术等。
2021年9月28日上午，“中国计算机创新大会暨中国计算机行业发展成就奖颁奖典礼”在北京召开。在会上，中国计算机行业协会秘书长杜京哲宣布成立“中国计算机行业协会信息存储与安全专业委员会”并授牌，国家电子计算机质量检验检测中心总工程师阳小珊作为新成立的专委会代表接受了中国计算机行业协会授牌，并发表简短讲话。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制出目前最小尺寸的相变存储单元（图）
相变存储单元 最小尺寸 PCRAM
2022/7/22
当今数据生产呈现爆炸式增长，传统的冯·诺依曼计算架构已成为未来继续提升计算系统性能的主要技术障碍。相变随机存取存储器（PCRAM）可以结合存储和计算功能，是突破冯·诺依曼计算构架瓶颈的理想路径选择。它具有非易失性、编程速度快和循环寿命长等优点。然而，PCRAM中相变材料与加热电极之间的接触面积较大，造成相变存储器操作功耗较高，如何进一步降低功耗成为相变存储器未来发展面临的最大挑战之一。缩小加热电极...
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，传统1T1C结构的DRAM存储电容限制问题以及相邻存储单元之间的耦合问题愈发显著，导致DRAM进一步微缩面临挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大优势。但目前研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元...
中国科学院微电子研究所在动态随机存储器领域取得重要进展（图）
动态随机 存储器 DRAM
2022/6/30
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，传统1T1C结构的DRAM的存储电容限制问题以及相邻存储单元之间的耦合问题愈发显著，导致DRAM进一步微缩面临挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1...
信息安全与人民生活、社会稳定甚至国家安全息息相关。过去几十年里，为应对日益强大的伪造技术，各种防伪材料及相关防伪技术已得到快速发展。然而，基于传统干态或硬质材料存储的信息往往以静态形式显示，易被破解，因此，亟需开发新型的信息防伪材料及相应加密-解密策略来提高信息的安全等级。智能高分子凝胶具有可设计、修饰的三维网络结构，通过功能的赋予，这类材料在软机器人、组织工程、仿生皮肤等领域均具有应用前景和研究...
“移动云统一存储引擎（天权）的研发及产业化应用”项目获得2021年度中国通信学会科学技术奖二等奖，该项目由中移（苏州）软件技术有限公司（中国移动云能力中心）自主完成，拥有完全自主知识产权，已获得10项软件著作权，授权专利6件。邬贺铨院士担任主任委员的科技成果评价委员会评价该项目的 “大规模跨域纠删技术”为国际领先。天权统一存储引擎的获奖，代表着移动云分布式存储服务能力获得了业内认可与肯定，充分印证...
近日，《科技期刊世界影响力指数（WJCI）报告》2021版（简称：《WJCI报告》）发布，《计算机工程与应用》和《计算机科学与探索》均入选。
世界大赛特等奖、教育部基础学科拔尖计划2.0基地、计算机学科跻身ESI全球前千分之一——华南理工大学计算机科学与工程学院“计算机科学”学科水平迈入全球第一方阵（图）
华南理工大学计算机科学与工程学院 教育部基础学科拔尖计划2.0基地 计算机学科 ESI全球前千分之一 美国大学生数学建模竞赛 交叉学科建模竞赛
2022/5/18
近日，2022年美国大学生数学建模竞赛和交叉学科建模竞赛（MCM/ICM）成绩陆续揭晓，华南理工大学计算机科学与工程学院2019级计算机科学与技术全英创新班的李国杰、沈澍和计算机科学与技术全英联合班翁浩瀚同学所在团队喜获竞赛特等奖（Outstanding Winner）1项，并首次获得美国运筹与管理学会学会奖（INFORMS AWARD），该奖每年每题只有一队可以获得，这是我院学生首次获得该奖项，...